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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
601921K6X4008C1F-VF55RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8Samsung Electronic
601922K6X4008C1F-VF70RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8Samsung Electronic
601923K6X4008C1F-VQ55RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8Samsung Electronic
601924K6X4008C1F-VQ70RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8Samsung Electronic
601925K6X4008T1FRAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601926K6X4008T1F-BRAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601927K6X4008T1F-FRAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601928K6X4008T1F-GB55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601929K6X4008T1F-GB70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601930K6X4008T1F-GB85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601931K6X4008T1F-GF55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601932K6X4008T1F-GF70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601933K6X4008T1F-GF85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601934K6X4008T1F-GQ70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601935K6X4008T1F-GQ85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601936K6X4008T1F-MB55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601937K6X4008T1F-MB70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601938K6X4008T1F-MB85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601939K6X4008T1F-MF55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic



601940K6X4008T1F-MF70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601941K6X4008T1F-MF85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601942K6X4008T1F-QRAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601943K6X4008T1F-VB55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601944K6X4008T1F-VB70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601945K6X4008T1F-VB85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601946K6X4008T1F-VF55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601947K6X4008T1F-VF70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601948K6X4008T1F-VF85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601949K6X4008T1F-VQ70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601950K6X4008T1F-VQ85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601951K6X4008T1F-YB55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601952K6X4008T1F-YB70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601953K6X4008T1F-YB85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601954K6X4008T1F-YF55RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601955K6X4008T1F-YF70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601956K6X4008T1F-YF85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601957K6X4008T1F-YQ70RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601958K6X4008T1F-YQ85RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
601959K6X4016C3FRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16Samsung Electronic
601960K6X4016C3F-BRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16Samsung Electronic
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