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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
610521KM416RD8AD-RK80256K x 16 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610522KM416RD8ASRDRAM DiretoSamsung Electronic
610523KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTM para o pacote do consumidorSamsung Electronic
610524KM416RD8AS-RM80256K x 16 x 32s bancos dependentes para pacote consumidor. Tempo de acesso: 40 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610525KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTM para o pacote do consumidorSamsung Electronic
610526KM416RD8AS-SM80256K x 16 x 32s bancos dependentes para pacote consumidor. Tempo de acesso: 40 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610527KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
610528KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
610529KM416S1120D512K x 16bit x DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosetc
610530KM416S1120DT-G/F10512K x 16bit x DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosetc
610531KM416S1120DT-G/F7512K x 16bit x DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosetc
610532KM416S1120DT-G/F8512K x 16bit x DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosetc
610533KM416S1120DT-G/FC512K x 16bit x DRAM synchronous LVTTL de 2 bancosetc
610534KM416S4030C1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610535KM416S4030CT-F101M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610536KM416S4030CT-F71M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610537KM416S4030CT-F81M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610538KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610539KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic



610540KM416S4030CT-G1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610541KM416S4030CT-G764Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 143MHzSamsung Electronic
610542KM416S4030CT-G864Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 125MHzSamsung Electronic
610543KM416S4030CT-GH64Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 100MHzSamsung Electronic
610544KM416S4030CT-GL64Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 100MHzSamsung Electronic
610545KM416S4030CT-L1064Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 100MHzSamsung Electronic
610546KM416S80302M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610547KM416S8030B2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610548KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610549KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610550KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610551KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610552KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610553KM416S8030T-G/F102M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610554KM416S8030T-G/F82M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610555KM416S8030T-G/FH2M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610556KM416S8030T-G/FL2M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
610557KM416V1000BRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
610558KM416V1000BJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610559KM416V1000BJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610560KM416V1000BJ-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
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