|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | 15280 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
610961KM44C4104A-660ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610962KM44C4104A-770ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610963KM44C4104A-880ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610964KM44C4104AL-550ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610965KM44C4104AL-660ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610966KM44C4104AL-770ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610967KM44C4104AL-880ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610968KM44C4104ALL-550ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610969KM44C4104ALL-660ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610970KM44C4104ALL-770ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610971KM44C4104ALL-880ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610972KM44C4104ASL-550ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610973KM44C4104ASL-660ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610974KM44C4104ASL-770ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610975KM44C4104ASL-880ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para foraSamsung Electronic
610976KM44C4105CDRAM do CAS do quad de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
610977KM44C4105CK-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610978KM44C4105CK-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic



610979KM44C4105CKL-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610980KM44C4105CKL-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610981KM44C4105CS-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610982KM44C4105CS-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610983KM44C4105CSL-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610984KM44C4105CSL-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610985KM44L32031BT128MB DDR SDRAMSamsung Electronic
610986KM44L32031BT-F0128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 100 MHz, a velocidade de 10 ns.Samsung Electronic
610987KM44L32031BT-FY128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
610988KM44L32031BT-FZ128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
610989KM44L32031BT-G(F)0Versão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
610990KM44L32031BT-G(F)YVersão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
610991KM44L32031BT-G(F)ZVersão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
610992KM44L32031BT-G(L)0Versão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
610993KM44L32031BT-G(L)YVersão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
610994KM44L32031BT-G(L)ZVersão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
610995KM44L32031BT-G0128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 100 MHz, a velocidade de 10 ns.Samsung Electronic
610996KM44L32031BT-GY128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
610997KM44L32031BT-GZ128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
610998KM44S16030BT-G_F10100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50 mA; 4M x 4 bits x 4 Bancos SDRAM CMOS síncronaSamsung Electronic
610999KM44S16030BT-G_F8125MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50 mA; 4M x 4 bits x 4 Bancos SDRAM CMOS síncronaSamsung Electronic
611000KM44S16030BT-G_FH100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50 mA; 4M x 4 bits x 4 Bancos SDRAM CMOS síncronaSamsung Electronic
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | 15280 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com