Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
671961 | M1173 | PERSISTENCE DA VISÃO DE 64 TESTES PADRÕES | MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP |
671962 | M11B11664A | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671963 | M11B11664A-25J | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671964 | M11B11664A-25T | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671965 | M11B11664A-30J | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671966 | M11B11664A-30T | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671967 | M11B11664A-35J | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671968 | M11B11664A-35T | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671969 | M11B11664A-40J | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671970 | M11B11664A-40T | 64 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671971 | M11B416256A | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671972 | M11B416256A-25J | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671973 | M11B416256A-25T | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671974 | M11B416256A-28J | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671975 | M11B416256A-28T | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671976 | M11B416256A-30J | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671977 | M11B416256A-30T | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671978 | M11B416256A-35J | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671979 | M11B416256A-35T | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671980 | M11B416256A-40J | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671981 | M11B416256A-40T | 256 K x MODALIDADE da PÁGINA do EDO de 16 DRAM | etc |
671982 | M12007 | Termistor poder | SEMITEC |
671983 | M123A01BXB103K | Capacitores Leaded Cerâmicos De Multiayer | AVX Corporation |
671984 | M12JZ47 | APLICAÇÕES DO CONTROLE DE PODER DA C. A. | TOSHIBA |
671985 | M12L16161A | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671986 | M12L16161A-4.3T | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671987 | M12L16161A-5.5T | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671988 | M12L16161A-5T | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671989 | M12L16161A-6T | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671990 | M12L16161A-7T | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671991 | M12L16161A-8T | DRAM synchronous de 512K x de 16Bit x de 2Banks | etc |
671992 | M12L64322A | bocado 32 x de 512K x DRAM synchronous de 4 bancos | etc |
671993 | M12L64322A-6T | bocado 32 x de 512K x DRAM synchronous de 4 bancos | etc |
671994 | M12L64322A-7T | bocado 32 x de 512K x DRAM synchronous de 4 bancos | etc |
671995 | M1300 | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
671996 | M1346 | IC DO DIODO EMISSOR DE LUZ DO RGB DO CONTROLE DE VDD | MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP |
671997 | M1347 | IC DO DIODO EMISSOR DE LUZ DO RGB | MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP |
671998 | M1348 | IC DO DIODO EMISSOR DE LUZ DA SINCRONIZAÇÃO RGB | MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP |
671999 | M1350 | IC DO DIODO EMISSOR DE LUZ DA SINCRONIZAÇÃO RGB | MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP |
672000 | M1389 | IC DO DIODO EMISSOR DE LUZ | MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP |
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