| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 67761 | 3DF0T10 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67762 | 3DF0T12 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67763 | 3DF0T15 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67764 | 3DF0T18 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67765 | 3DF0T22 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67766 | 3DF0T27 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67767 | 3DF0T33 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67768 | 3DF0T39 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67769 | 3DF0T47 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67770 | 3DF0T56 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67771 | 3DF0T68 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67772 | 3DF0T82 | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67773 | 3DFO | Capacitores Baixos Do Disco Do Fator Da Dissipação | Vishay |
| 67774 | 3DL41 | TIPO EPITAXIAL DA JUNÇÃO (TIPO APLICAÇÕES DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 67775 | 3DL41A | TIPO EPITAXIAL DA JUNÇÃO (TIPO APLICAÇÕES DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 67776 | 3DNOW | 3DNOW! Manual Da Tecnologia | Advanced Micro Devices |
| 67777 | 3DNOW AND MMX | Extensões de AMD ao 3DNow! e MMX jogos de instrução manuais | Advanced Micro Devices |
| 67778 | 3DS16-325 | 512K x 32 operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM-5.0V do bocado | 3D PLUS |
| 67779 | 3DS16-325SC-15 | 512K x 32 operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM-5.0V do bocado | 3D PLUS |
| 67780 | 3DS16-325SC-20 | 512K x 32 operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM-5.0V do bocado | 3D PLUS |
| 67781 | 3DS16-325SI-15 | 512K x 32 operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM-5.0V do bocado | 3D PLUS |
| 67782 | 3DS16-325SI-20 | 512K x 32 operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM-5.0V do bocado | 3D PLUS |
| 67783 | 3DSD1280-323H | 1.28 DRAM synchronous de GBit - pacote hermetic | 3D PLUS |
| 67784 | 3DSD1280-883D-S | 1.28 DRAM synchronous de GBit - pacote hermetic | 3D PLUS |
| 67785 | 3DSD1280-PROTO | 1.28 DRAM synchronous de GBit - pacote hermetic | 3D PLUS |
| 67786 | 3DU41 | TIPO DIFUNDIDO SILICONE (TIPO APLICAÇÕES DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 67787 | 3DZ41 | TIPO DIFUNDIDO SILICONE (APLICAÇÕES DA FINALIDADE GERAL RECTFIER) | TOSHIBA |
| 67788 | 3EZ | DIODOS DO SILICONE ZENER | EIC discrete Semiconductors |
| 67789 | 3EZ1 | Silicone-Poder-Z-Diodos (tecnologia non-non-planar) | Diotec Elektronische |
| 67790 | 3EZ10 | Silicone-Poder-Z-Diodos (tecnologia non-non-planar) | Diotec Elektronische |
| 67791 | 3EZ100 | SILICONE PASSIVATED VIDRO ZENER volts do poder de DIODES(VOLTAGE- 11 a 200 da JUNÇÃO - 3.0 watts) | Panjit International Inc |
| 67792 | 3EZ100 | Silicone-Poder-Z-Diodos (tecnologia non-non-planar) | Diotec Elektronische |
| 67793 | 3EZ100 | DIODO PASSIVATED VIDRO DO SILICONE ZENER DA JUNÇÃO | TRSYS |
| 67794 | 3EZ100 | 100 V, 3 W, vidro passivado silício junção diodo zener | TRANSYS Electronics Limited |
| 67795 | 3EZ100D | 3 W, diodo zener de silício. Tensão nominal de 100 V, a corrente de 7,5 mA, + tolerância -20%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67796 | 3EZ100D1 | 3 W, diodo zener de silício. Tensão nominal de 100 V, a corrente de 7,5 mA, + tolerância de -1%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67797 | 3EZ100D1 | 3 watt Surmetic 30 silício diodo zener. Nom tensão zener 100 V. tolerância de 1%. | Motorola |
| 67798 | 3EZ100D10 | 3 W, diodo zener de silício. Tensão nominal de 100 V, a corrente de 7,5 mA, + tolerância -10%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67799 | 3EZ100D10 | 3 watt Surmetic 30 silício diodo zener. Nom tensão zener 100 V. tolerância de 10%. | Motorola |
| 67800 | 3EZ100D2 | 3 W, diodo zener de silício. Tensão nominal de 100 V, a corrente de 7,5 mA, + tolerância de -2%. | Jinan Gude Electronic Device |
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