| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 823641 | MH4V644AXJJ | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823642 | MH4V644AXJJ-5 | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823643 | MH4V644AXJJ-5S | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823644 | MH4V644AXJJ-6 | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823645 | MH4V644AXJJ-6S | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823646 | MH4V64AWXJ-5 | MODALIDADE RÁPIDA 268435456 - (4194304 - WORD DA PÁGINA POR 64 - MORDIDO) RAM DINÂMICA MORDIDA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823647 | MH4V64AWXJ-6 | MODALIDADE RÁPIDA 268435456 - (4194304 - WORD DA PÁGINA POR 64 - MORDIDO) RAM DINÂMICA MORDIDA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823648 | MH4V64AXJJ | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823649 | MH4V64AXJJ-5 | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823650 | MH4V64AXJJ-5S | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823651 | MH4V64AXJJ-6 | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823652 | MH4V64AXJJ-6S | MODALIDADE RÁPIDA 268435456-BIT DA PÁGINA (4194304-4194304-WORD POR 64-BIT)DYNAMIC RAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823653 | MH4V724AWXJ-5 | MODALIDADE RÁPIDA 301989888 - (4194304 - WORD DA PÁGINA POR 72 - MORDIDO) RAM DINÂMICA MORDIDA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823654 | MH4V724AWXJ-6 | MODALIDADE RÁPIDA 301989888 - (4194304 - WORD DA PÁGINA POR 72 - MORDIDO) RAM DINÂMICA MORDIDA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823655 | MH51 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 50-400V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823656 | MH51208ANA-10H | Tempo de acesso: 100 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823657 | MH51208ANA-10L | Tempo de acesso: 100 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823658 | MH51208ANA-12H | Tempo de acesso: 120 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823659 | MH51208ANA-12L | Tempo de acesso: 120 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823660 | MH51208ANA-15H | Tempo de acesso: 150 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823661 | MH51208ANA-15L | Tempo de acesso: 150 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823662 | MH51208ANA-85H | Tempo de acesso: 85 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823663 | MH51208ANA-85L | Tempo de acesso: 85 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823664 | MH51208UNA-10 | Tempo de acesso: 100 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823665 | MH51208UNA-10L | Tempo de acesso: 100 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823666 | MH51208UNA-12 | Tempo de acesso: 120 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823667 | MH51208UNA-12L | Tempo de acesso: 120 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823668 | MH51208UNA-15 | Tempo de acesso: 150 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823669 | MH51208UNA-15L | Tempo de acesso: 150 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823670 | MH51208UNA-85 | Tempo de acesso: 85 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823671 | MH51208UNA-85L | Tempo de acesso: 85 ns, 110 mA, CMOS de 128 K x 8 módulo de memória RAM estática | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823672 | MH52 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 50-400V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823673 | MH53 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 50-400V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823674 | MH54 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 50-400V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823675 | MH55 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 50-400V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823676 | MH56 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 600-1000V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823677 | MH57 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 600-1000V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823678 | MH58 | EFICIÊNCIA ELEVADA RECTIFIERS(5.0A, 600-1000V) | MOSPEC Semiconductor |
| 823679 | MH64D64AKQH-10 | (67.108.864-67,108,864-WORD POR 64-BIT) Módulo Synchronous Dobro do DRAM Da Taxa De Dados 294,967,296-BIT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 823680 | MH64D64AKQH-75 | (67.108.864-67,108,864-WORD POR 64-BIT) Módulo Synchronous Dobro do DRAM Da Taxa De Dados 294,967,296-BIT | Mitsubishi Electric Corporation |
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