| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 881681 | MJE13005 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881682 | MJE13005 | Poder 4A 400V SM1 NPN | ON Semiconductor |
| 881683 | MJE13005 | 2.000W de potência NPN Medium Plastic Leaded Transistor. 400V VCEO, 4.000A Ic, 10-60 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881684 | MJE13005 | NPN, silício transistor de potência plástico. Para 115 e interruptor de modo 220V aplicações, tais como reguladores de comutação, controle de inversores de motor, motoristas solenóide / relé e circuitos de deflexão. VCEO (sus) = | USHA India LTD |
| 881685 | MJE13005-D | Transistor De Poder Do Silicone Da Série NPN de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 881686 | MJE13005B | TRANSFORMADORES DO SILICONE TRANSISTOR(ELECTRONIC DE NPN, CIRCUITO DO PODER SWICHING) | Wing Shing Computer Components |
| 881687 | MJE13005F | Transistor Do Switching | Korea Electronics (KEC) |
| 881688 | MJE13006 | PODER TRANSISTORS(8A, 300-400V, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881689 | MJE13006 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881690 | MJE13006 | 2.000W de potência NPN Medium Plastic Leaded Transistor. 300V VCEO, 8.000A Ic, 8-60 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881691 | MJE13006_13007 | Aplicação De alta tensão Da Modalidade Do Interruptor | Fairchild Semiconductor |
| 881692 | MJE13007 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE NPN | ST Microelectronics |
| 881693 | MJE13007 | Transistor Do Switching | Korea Electronics (KEC) |
| 881694 | MJE13007 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881695 | MJE13007 | PODER TRANSISTORS(8A, 300-400V, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881696 | MJE13007 | TRANSFORMADORES DO SILICONE TRANSISTOR(ELECTRONIC DE NPN, CIRCUITO DO PODER SWICHING) | Wing Shing Computer Components |
| 881697 | MJE13007 | TRANSISTOR DE PODER 8.0 AMPÈRES 400 VOLTS 80/40 DE WATT | Motorola |
| 881698 | MJE13007 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881699 | MJE13007 | Poder 8A 400V NPN | ON Semiconductor |
| 881700 | MJE13007 | Poder 8A 400V NPN | ON Semiconductor |
| 881701 | MJE13007 | 80.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 400V VCEO, 8.000A Ic, 5-30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881702 | MJE13007 | NPN, silício transistor de potência plástico. Adequado para 115 e interruptor de modo 220V aplicações, tais como reguladores de comutação, inversores, controles de motor, solenóide / relé. VCEO (sus) = 400Vdc, Vcev = 700Vdc, o VEB | USHA India LTD |
| 881703 | MJE13007-D | Transistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do Switching | ON Semiconductor |
| 881704 | MJE13007A | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE NPN | ST Microelectronics |
| 881705 | MJE13007A | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881706 | MJE13007A | PODER TRANSISTORS(8A, 400v, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881707 | MJE13007A | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881708 | MJE13007F | Transistor Do Switching | Korea Electronics (KEC) |
| 881709 | MJE13007R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 881710 | MJE13007R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 881711 | MJE13007R | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 881712 | MJE13008 | PODER TRANSISTORS(12A, 300-400V, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881713 | MJE13008 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881714 | MJE13009 | TRANSISTOR DE PODER DA ALTA TENSÃO FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 881715 | MJE13009 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881716 | MJE13009 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881717 | MJE13009 | PODER TRANSISTORS(12A, 300-400V, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881718 | MJE13009 | 12 TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DO AMPÈRE NPN 400 VOLTS 100 WATTS | Motorola |
| 881719 | MJE13009 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881720 | MJE13009 | Poder 12A 400V NPN | ON Semiconductor |
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