Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
881761 | MJE15032 | Transistor, poder NPN, excitador do audo | ON Semiconductor |
881762 | MJE15032 | 50.000W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 250V VCEO, 8.000A Ic, 50 - hFE | Continental Device India Limited |
881763 | MJE15032-D | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | ON Semiconductor |
881764 | MJE15033 | 8.0 DE PODER AMPÈRES DE SILICONE COMPLEMENTAR DOS TRANSISTOR 250 VOLTS 50 WATTS | Motorola |
881765 | MJE15033 | 50.000W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 250V VCEO, 8.000A Ic, 50 - hFE | Continental Device India Limited |
881766 | MJE15033 | Cortesia do Silício plástico transistores de potência | ON Semiconductor |
881767 | MJE15034 | Transistor, Poder De NPN, Excitador Audio | ON Semiconductor |
881768 | MJE15035 | Transistor, Poder De PNP, Excitador Audio | ON Semiconductor |
881769 | MJE16002 | PODER TRANSISTORS(5A, 450v, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
881770 | MJE16002 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE 5.0 AMPÈRES NPN 450 VOLTS 80 WATTS | Motorola |
881771 | MJE16002 | 5 transistor de potência Um SwitchMax II. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
881772 | MJE16002-D | Transistor De Poder Do Silicone Da Série NPN de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
881773 | MJE16004 | PODER TRANSISTORS(5A, 450v, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
881774 | MJE16004 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE 5.0 AMPÈRES NPN 450 VOLTS 80 WATTS | Motorola |
881775 | MJE16004 | 5 transistor de potência Um SwitchMax II. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
881776 | MJE16106 | TRANSISTOR DE PODER 8 AMPÈRES 400 VOLTS 100 E 125 WATTS | Motorola |
881777 | MJE16204 | TRANSISTOR DE PODER 6.0 AMPÈRES 550 VOLTS -. VCES 45 E 80 WATTS | Motorola |
881778 | MJE16204-D | Transistor bipolar da deflexão do poder de SCANSWITCH NPN para a elevação e os TRANSISTOR de PODER muito de alta resolução 6A dos monitores 45 e 80 watts 550 volts | ON Semiconductor |
881779 | MJE170 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
881780 | MJE170 | PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881781 | MJE170 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
881782 | MJE170 | 12.500W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 40V, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
881783 | MJE170 | -60 V, -3 A, transistor PNP epitaxial de silício | Samsung Electronic |
881784 | MJE170STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
881785 | MJE171 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
881786 | MJE171 | PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881787 | MJE171 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 3 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 60-80 VOLTS 12.5 WATTS | Motorola |
881788 | MJE171 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
881789 | MJE171 | Poder 3A 60V PNP | ON Semiconductor |
881790 | MJE171 | 12.500W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
881791 | MJE171 | -80 V, -1 A, transistor PNP epitaxial de silício | Samsung Electronic |
881792 | MJE171-D | Transistor De Poder Plásticos Complementares NPN Do Silicone | ON Semiconductor |
881793 | MJE171STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
881794 | MJE172 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
881795 | MJE172 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
881796 | MJE172 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
881797 | MJE172 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
881798 | MJE172 | PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881799 | MJE172 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 3 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 60-80 VOLTS 12.5 WATTS | Motorola |
881800 | MJE172 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
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