Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
881801 | MJE172 | Poder 3A 80V PNP | ON Semiconductor |
881802 | MJE172 | 12.500W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 80V, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
881803 | MJE172 | -100 V, -1 A, transistor PNP epitaxial de silício | Samsung Electronic |
881804 | MJE172STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
881805 | MJE180 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
881806 | MJE180 | PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881807 | MJE180 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
881808 | MJE180 | 12.500W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 40V, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
881809 | MJE180 | 60 V, 3 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
881810 | MJE18002 | TRANSISTOR de PODER 2.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 25 e 50 WATTS | Motorola |
881811 | MJE18002 | Switchmode | ON Semiconductor |
881812 | MJE18002-D | Transistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do Switching | ON Semiconductor |
881813 | MJE18002D2 | TRANSISTOR DE PODER 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTS | Motorola |
881814 | MJE18002D2 | Alta velocidade, alto ganho Bipolar Transistor NPN de potência com Integrado Coletor-Emissor Diode e Built-In Antisaturation rede eficiente | ON Semiconductor |
881815 | MJE18002D2-D | Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e TRANSISTOR de PODER eficientes internos da rede de Antisaturation 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTS | ON Semiconductor |
881816 | MJE18004 | TRANSISTOR de PODER 5.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 35 e 75 WATTS | Motorola |
881817 | MJE18004 | Switchmode | ON Semiconductor |
881818 | MJE18004 | Switchmode | ON Semiconductor |
881819 | MJE18004-D | Transistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do Switching | ON Semiconductor |
881820 | MJE18004D2 | TRANSISTOR DE PODER 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
881821 | MJE18004D2 | Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e Antisaturation eficiente interno... | ON Semiconductor |
881822 | MJE18004D2 | Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e Antisaturation eficiente interno... | ON Semiconductor |
881823 | MJE18004D2-D | Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e TRANSISTOR de PODER eficientes internos da rede de Antisaturation 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTS | ON Semiconductor |
881824 | MJE18006 | TRANSISTOR de PODER 6.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 40 e 100 WATTS | Motorola |
881825 | MJE18006 | Poder 8A 450V NPN | ON Semiconductor |
881826 | MJE18006-D | Transistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do Switching | ON Semiconductor |
881827 | MJE18008 | TRANSISTOR de PODER 8.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 45 e 125 WATTS | Motorola |
881828 | MJE18008 | Transistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do Switching | ON Semiconductor |
881829 | MJE18008-D | Transistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do Switching | ON Semiconductor |
881830 | MJE18009 | TRANSISTOR de PODER 10 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 e 150 WATTS | Motorola |
881831 | MJE18009-D | Transistor De Poder Planar Do Silicone de SWITCHMODE NPN | ON Semiconductor |
881832 | MJE180STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
881833 | MJE181 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
881834 | MJE181 | PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881835 | MJE181 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 3 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 60-80 VOLTS 12.5 WATTS | Motorola |
881836 | MJE181 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
881837 | MJE181 | Poder 3A 60V NPN | ON Semiconductor |
881838 | MJE181 | 12.500W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
881839 | MJE181 | 60 V, 3 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
881840 | MJE181STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
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