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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
881801MJE172Poder 3A 80V PNPON Semiconductor
881802MJE17212.500W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 80V, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881803MJE172-100 V, -1 A, transistor PNP epitaxial de silícioSamsung Electronic
881804MJE172STUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
881805MJE180Transistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
881806MJE180PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881807MJE180Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
881808MJE18012.500W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 40V, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881809MJE18060 V, 3 A, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic
881810MJE18002TRANSISTOR de PODER 2.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 25 e 50 WATTSMotorola
881811MJE18002Switchmode™ON Semiconductor
881812MJE18002-DTransistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do SwitchingON Semiconductor
881813MJE18002D2TRANSISTOR DE PODER 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTSMotorola
881814MJE18002D2Alta velocidade, alto ganho Bipolar Transistor NPN de potência com Integrado Coletor-Emissor Diode e Built-In Antisaturation rede eficienteON Semiconductor
881815MJE18002D2-DTransistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e TRANSISTOR de PODER eficientes internos da rede de Antisaturation 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTSON Semiconductor
881816MJE18004TRANSISTOR de PODER 5.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 35 e 75 WATTSMotorola
881817MJE18004Switchmode™ON Semiconductor
881818MJE18004Switchmode™ON Semiconductor
881819MJE18004-DTransistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do SwitchingON Semiconductor



881820MJE18004D2TRANSISTOR DE PODER 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTSMotorola
881821MJE18004D2Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e Antisaturation eficiente interno...ON Semiconductor
881822MJE18004D2Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e Antisaturation eficiente interno...ON Semiconductor
881823MJE18004D2-DTransistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e TRANSISTOR de PODER eficientes internos da rede de Antisaturation 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTSON Semiconductor
881824MJE18006TRANSISTOR de PODER 6.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 40 e 100 WATTSMotorola
881825MJE18006Poder 8A 450V NPNON Semiconductor
881826MJE18006-DTransistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do SwitchingON Semiconductor
881827MJE18008TRANSISTOR de PODER 8.0 AMPÈRES 1000 VOLTS 45 e 125 WATTSMotorola
881828MJE18008Transistor™ De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do SwitchingON Semiconductor
881829MJE18008-DTransistor De Poder Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Aplicações Da Fonte De Alimentação Do SwitchingON Semiconductor
881830MJE18009TRANSISTOR de PODER 10 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 e 150 WATTSMotorola
881831MJE18009-DTransistor De Poder Planar Do Silicone de SWITCHMODE NPNON Semiconductor
881832MJE180STUTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
881833MJE181Transistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
881834MJE181PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881835MJE181SILICONE COMPLEMENTAR DE 3 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 60-80 VOLTS 12.5 WATTSMotorola
881836MJE181Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
881837MJE181Poder 3A 60V NPNON Semiconductor
881838MJE18112.500W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881839MJE18160 V, 3 A, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic
881840MJE181STUTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
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