| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 889161 | MMBC1623L4 | NPN (TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR) | Samsung Electronic |
| 889162 | MMBC1623L4 | Amplificador de transistor NPN de silício. | Motorola |
| 889163 | MMBC1623L5 | NPN (TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR) | Samsung Electronic |
| 889164 | MMBC1623L5 | Amplificador de transistor NPN de silício. | Motorola |
| 889165 | MMBC1623L6 | Amplificador de transistor NPN de silício. | Motorola |
| 889166 | MMBC1623L6 | 50 V, 100 mA, NPN transistor epitaxial de silício | Samsung Electronic |
| 889167 | MMBC1623L7 | NPN (TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR) | Samsung Electronic |
| 889168 | MMBC1623L7 | Amplificador de transistor NPN de silício. | Motorola |
| 889169 | MMBC1626L6 | NPN (TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR) | Samsung Electronic |
| 889170 | MMBC1653N2 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 889171 | MMBC1653N3 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 889172 | MMBC1653N4 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 889173 | MMBC1654N5 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 889174 | MMBC1654N6 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 889175 | MMBC1654N7 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 889176 | MMBD1000LT1 | Diodo Do Switching | Motorola |
| 889177 | MMBD1005LT1 | Diodo Do Switching | Motorola |
| 889178 | MMBD101 | Diodos De Barreira De Schottky | Leshan Radio Company |
| 889179 | MMBD101 | Silicon hot-transportador misturador UNF diodo (diodo de barreira schottky). | Motorola |
| 889180 | MMBD1010LT1 | Diodo Do Switching | ON Semiconductor |
| 889181 | MMBD1010LT1 | 45 V, baixa tensão de saturação | Leshan Radio Company |
| 889182 | MMBD1010LT1-D | Diodo Do Switching | ON Semiconductor |
| 889183 | MMBD1010T1 | 45 V, baixa tensão de saturação | Leshan Radio Company |
| 889184 | MMBD101L | Diodos De Barreira De Schottky | ON Semiconductor |
| 889185 | MMBD101L | Silicon hot-transportador misturador UNF diodo (diodo de barreira schottky). | Motorola |
| 889186 | MMBD101LT1 | Diodos De Barreira De Schottky | Leshan Radio Company |
| 889187 | MMBD101LT1 | Diodos De Barreira De Schottky | ON Semiconductor |
| 889188 | MMBD110T1 | Diodos De Barreira De Schottky | Leshan Radio Company |
| 889189 | MMBD110T1 | Diodos De Barreira De Schottky | Motorola |
| 889190 | MMBD110T1-D | Diodos De Barreira De Schottky | ON Semiconductor |
| 889191 | MMBD1201 | Diodos De Sinal Pequenos | Fairchild Semiconductor |
| 889192 | MMBD1201 | DIODOS DE SUPERFÍCIE DO SWITCHING DA MONTAGEM | Jinan Gude Electronic Device |
| 889193 | MMBD1201_D87Z | Diodo Ultra Rápido Elevado Do Conductance | Fairchild Semiconductor |
| 889194 | MMBD1201_NL | Diodo Ultra Rápido Elevado Do Conductance | Fairchild Semiconductor |
| 889195 | MMBD1202 | DIODOS DE SUPERFÍCIE DO SWITCHING DA MONTAGEM | Jinan Gude Electronic Device |
| 889196 | MMBD1202 | Alta condutância Diode Ultra Fast | Fairchild Semiconductor |
| 889197 | MMBD1203 | Diodos De Sinal Pequenos | Fairchild Semiconductor |
| 889198 | MMBD1203 | DIODOS DE SUPERFÍCIE DO SWITCHING DA MONTAGEM | Jinan Gude Electronic Device |
| 889199 | MMBD1203_D87Z | Diodo Ultra Rápido Elevado Do Conductance | Fairchild Semiconductor |
| 889200 | MMBD1203_L99Z | Diodo Ultra Rápido Elevado Do Conductance | Fairchild Semiconductor |
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