| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 890201 | MMBT5550LT1 | Transistor De alta tensão | Motorola |
| 890202 | MMBT5550LT1 | Alta tensão Pequena Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890203 | MMBT5550LT1-D | Silicone De alta tensão Dos Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 890204 | MMBT5550LT1G | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 890205 | MMBT5551 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | National Semiconductor |
| 890206 | MMBT5551 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890207 | MMBT5551 | Transistor Bipolares | Diodes |
| 890208 | MMBT5551 | SILICONE DE ALTA TENSÃO DO TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890209 | MMBT5551 | TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DE NPN | TRSYS |
| 890210 | MMBT5551 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 890211 | MMBT5551 | 180 V, montar NPN superfície pequeno sinal transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 890212 | MMBT5551-7 | TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DE NPN | Diodes |
| 890213 | MMBT5551-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 890214 | MMBT5551L | Sinal Pequeno NPN | ON Semiconductor |
| 890215 | MMBT5551LT1 | Silicone De alta tensão De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 890216 | MMBT5551LT1 | Transistor De alta tensão | Motorola |
| 890217 | MMBT5551LT1 | Sinal Pequeno NPN | ON Semiconductor |
| 890218 | MMBT5551LT1G | Sinal Pequeno NPN | ON Semiconductor |
| 890219 | MMBT5551LT3 | Sinal Pequeno NPN | ON Semiconductor |
| 890220 | MMBT5551LT3G | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 890221 | MMBT5551M3 | NPN TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO | ON Semiconductor |
| 890222 | MMBT5551W | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 890223 | MMBT5551_NL | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890224 | MMBT5770 | NPN RF Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890225 | MMBT5771 | Transistor Do Switching de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890226 | MMBT5771_NL | Transistor Do Switching de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890227 | MMBT589 | Transistor de junção bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 890228 | MMBT589L | Transistor Pequeno Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890229 | MMBT589LT1 | Transistor Pequeno Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890230 | MMBT589LT1-D | Transistor de superfície atual elevado do switching do silicone damontagem PNP para a gerência da carga em aplicações portáteis | ON Semiconductor |
| 890231 | MMBT589LT3 | Transistor Pequeno Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890232 | MMBT5962 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890233 | MMBT6027 | Transistor programável do unijunction do silicone (põe) | Planeta |
| 890234 | MMBT6028 | Silicon transistor unijunção programável (TUPs). Ânodo-a-cátodo tensão + -40V. | Planeta |
| 890235 | MMBT6427 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 890236 | MMBT6427 | Transistor De Darlington | Diodes |
| 890237 | MMBT6427 | Transistor NPN de Darlington de silício. | Motorola |
| 890238 | MMBT6427 | 40 V, 500 mA, NPN transistor epitaxial de silício | Samsung Electronic |
| 890239 | MMBT6427-7 | TRANSISTOR DA MONTAGEM DARLINGTON DA SUPERFÍCIE DE NPN | Diodes |
| 890240 | MMBT6427-7-F | Transistores Darlington | Diodes |
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