| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 892401 | MMFT3055VL | MOSFET 1 Amp, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 892402 | MMFT3055VL-D | Mosfet Do Poder 1 Ampère, 60 Volts De N-Canaleta SOT-223 | ON Semiconductor |
| 892403 | MMFT5P03HD | FET MÉDIO DO PODER DE TMOS 5.2 AMPÈRES 30 VOLTS | Motorola |
| 892404 | MMFT5P03HD | Mosfet Do Poder 5 Ampères, 30 Volts | ON Semiconductor |
| 892405 | MMFT5P03HD-D | Mosfet Do Poder 5 Ampères, 30 Volts De P-Canaleta SOT-223 | ON Semiconductor |
| 892406 | MMFT5P03HDT1 | Mosfet Do Poder 5 Ampères, 30 Volts | ON Semiconductor |
| 892407 | MMFT5P03HDT3 | TRANSISTOR DO CAMPO FEECT DE TMOS P-CHANNEL | Motorola |
| 892408 | MMFT5P03HDT3 | Mosfet Do Poder 5 Ampères, 30 Volts | ON Semiconductor |
| 892409 | MMFT6N03HD | PODER DE TMOS 6.0 AMPÈRES 30 VOLTS | Motorola |
| 892410 | MMFT960 | Mosfet do poder 300 miliampères, 60 volts | ON Semiconductor |
| 892411 | MMFT960T1 | Fet MÉDIO do PODER TMOS 300 miliampères 60 VOLTS | Motorola |
| 892412 | MMFT960T1 | Mosfet do poder 300 miliampères, 60 volts | ON Semiconductor |
| 892413 | MMFT960T1-D | Mosfet do poder 300 miliampères, 60 volts de N-Canaleta SOT-223 | ON Semiconductor |
| 892414 | MMFT960T1G | Mosfet do poder 300 miliampères, 60 volts | ON Semiconductor |
| 892415 | MMG05N60D | POWERLUX IGBT | Motorola |
| 892416 | MMG05N60D | OBSOLETO - IGBT N-Channel (0.5A, 600V) | ON Semiconductor |
| 892417 | MMG05N60D-D | Porta De Silicone Bipolar Isolada Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor Da Porta | ON Semiconductor |
| 892418 | MMG1001R2 | MMG1001R2 870 megahertz, 19 ganhos do DB, 132-Channel CATV integrou o módulo do amplificador | Motorola |
| 892419 | MMG1001R2 | 870 módulo integrado do amplificador do ganho 132–Channel GaAs do DB do megahertz 19 CATV | Freescale (Motorola) |
| 892420 | MMG2001R2 | MMG2001R2 870 Megahertz, 19.5 ganho do DB, 132-Channel CATV integrou o módulo do amplificador | Motorola |
| 892421 | MMG2001R2 | 870 módulo 19.5 integrado do amplificador do ganho 132–Channel GaAs do DB do megahertz CATV | Freescale (Motorola) |
| 892422 | MMG3002NT1 | Tecnologia Bipolar Do Transistor Do Heterojunction (InGaP HBT) | Motorola |
| 892423 | MMJT350T1 | Transistor De Poder Bipolares | ON Semiconductor |
| 892424 | MMJT350T1-D | Silicone Bipolar Dos Transistor De Poder PNP | ON Semiconductor |
| 892425 | MMJT9410 | Transistor De Poder Bipolares | Motorola |
| 892426 | MMJT9410 | Transistor De Poder Bipolar de NPN | ON Semiconductor |
| 892427 | MMJT9410-D | Silicone Bipolar Dos Transistor De Poder NPN | ON Semiconductor |
| 892428 | MMJT9410T1 | Transistor De Poder Bipolar de NPN | ON Semiconductor |
| 892429 | MMJT9435 | Transistor De Poder Bipolares | Motorola |
| 892430 | MMJT9435 | Transistor De Poder Bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 892431 | MMJT9435-D | Silicone Bipolar Dos Transistor De Poder PNP | ON Semiconductor |
| 892432 | MMJT9435T1 | Transistor De Poder Bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 892433 | MMJT9435T3 | Transistor De Poder Bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 892434 | MMK | Poliéster metalizado de acordo com CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122 | etc |
| 892435 | MMK10 | Poliéster metalizado de acordo com CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122 | etc |
| 892436 | MMK15 | Poliéster metalizado de acordo com CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122 | etc |
| 892437 | MMK5 | Poliéster metalizado de acordo com CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122 | etc |
| 892438 | MMK7.5 | Poliéster metalizado de acordo com CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122 | etc |
| 892439 | MMKP 383 | Dobro metalizado, encaixotado, passo de 7,5-27,5mm | Vishay |
| 892440 | MMKP 483 | Dobro metalizado, envernizado, passo de 7,5-27,5mm | Vishay |
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