Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
895841 | MN86157 | Protegendo o Lsi Da Correção | Panasonic |
895842 | MN8617A | Microcomputadores ICs Standard-Produto de Aplicações Específicas | Panasonic |
895843 | MN863440 | Para o Lcd - Excitador do Lcd - Para TFT | Panasonic |
895844 | MN86351 | Excitador da porta de TFT LCD com 242 saídas | Panasonic |
895845 | MN863584-D | Para o Lcd - Excitador do Lcd - Para TFT | Panasonic |
895846 | MN863830EFH | Para o Lcd - Excitador do Lcd - Para STN | Panasonic |
895847 | MN863831EFG | Para o Lcd - Excitador do Lcd - Para STN | Panasonic |
895848 | MN863831EFS | Para o Lcd - Excitador do Lcd - Para STN | Panasonic |
895849 | MN8644002 | Microcomputadores ICs Standard-Produto de Aplicações Específicas | Panasonic |
895850 | MN864411GT | Relação - IEEE1394 | Panasonic |
895851 | MN87400 | Multibanda sem fio LSIs | Panasonic |
895852 | MN87401 | Multibanda sem fio LSIs | Panasonic |
895853 | MN88413 | Para Video.Audio - Para Transmissões De Digital | Panasonic |
895854 | MN88441 | Para O Vídeo·Audio - Para Transmissões De Digital | Panasonic |
895855 | MN88831 | Para Video.Audio - Tevê | Panasonic |
895856 | MN89201 | Conversor Da Varredura de VGA-NTSC | Panasonic |
895857 | MN89302 | Controlador Da Exposição de SVGA | Panasonic |
895858 | MN89303 | Controlador Da Exposição de SVGA | Panasonic |
895859 | MN89303A | Controlador Da Exposição de SVGA | Panasonic |
895860 | MN89305 | Microcomputadores ICs Standard-Produto de Aplicações Específicas | Panasonic |
895861 | MN89306 | Microcomputadores ICs Standard-Produto de Aplicações Específicas | Panasonic |
895862 | MNA-2 | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895863 | MNA-3 | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895864 | MNA-4 | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895865 | MNA-5 | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895866 | MNA-6 | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895867 | MNA-7 | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895868 | MNA-SERIES | Directivity Elevado Dos Amplificadores Monolíticos, 50.? 0.5 a 5.9 gigahertz | Mini-Circuits |
895869 | MNA14 | Capacitores > redes cerâmicos multi-layer do capacitor da microplaqueta do tamanho 1608(0603)x4 | ROHM |
895870 | MNDAC88 | conversor de 12-bit D/A com registo da entrada | Integrated Circuit Systems |
895871 | MNDM54LS20 | PORTA DUPLA DE 4-INPUT NAND | National Semiconductor |
895872 | MNDM54LS20-X | PORTA DUPLA DE 4-INPUT NAND | National Semiconductor |
895873 | MNDM54LS502-X | 8 - REGISTO SUCESSIVO MORDIDO DA APROXIMAÇÃO | National Semiconductor |
895874 | MNDS26F32M-X-RH | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
895875 | MNDS26F32ME/883 | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
895876 | MNDS26F32MER-QML | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
895877 | MNDS26F32MJ-QMLV | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
895878 | MNDS26F32MJ/883 | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
895879 | MNDS26F32MJR-QML | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
895880 | MNDS26F32MJRQMLV | QUAD A LINHA DIFERENCIAL DISPONÍVEL dos RECEPTORES TAMBÉM GARANTIDOA 100K RAD(Si) TESTADO A MIL-STD-883, MÉTODO 1019.5, CONDICIONE A | National Semiconductor |
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