| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 902481 | MRF914 | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDA | Microsemi |
| 902482 | MRF917T1 | TRANSISTOR BAIXO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO RUÍDO | Motorola |
| 902483 | MRF9180 | MRF9180, MRF9180S 880 Megahertz, 170 W, 26 MOSFETs Laterais Do Poder do Rf Da N-Canaleta De V | Motorola |
| 902484 | MRF9180R6 | 880 Megahertz, 170 W, 26 Mosfet Lateral Do Poder De V N–Channel Rf | Freescale (Motorola) |
| 902485 | MRF9180S | 880 Megahertz, 170 W, 26 MOSFETs LATERAIS do PODER De V N-CHANNEL Rf | Motorola |
| 902486 | MRF9200LR3 | MOSFETs Da Lateral De N−Channel Enhancement−Mode | Freescale (Motorola) |
| 902487 | MRF9200LR3 | 880 Mhz; 40W; V (DSS): -0,5 a + 65V; Campo de energia RF transistor de efeito de | Motorola |
| 902488 | MRF9200LSR3 | MOSFETs Da Lateral De N−Channel Enhancement−Mode | Freescale (Motorola) |
| 902489 | MRF9200LSR3 | 880 Mhz; 40W; V (DSS): -0,5 a + 65V; Campo de energia RF transistor de efeito de | Motorola |
| 902490 | MRF9210 | MRF9210 880 Megahertz, 200 W, Mosfet Lateral Do Poder do Rf Da N-Canaleta De 26 V | Motorola |
| 902491 | MRF9210R3 | Transistor De Efeito De Campo Do Poder do Rf | Motorola |
| 902492 | MRF9210R3 | 880 Megahertz, 200 W, 26 Mosfet Broadband Lateral Do Poder De V N–Channel Rf | Freescale (Motorola) |
| 902493 | MRF927T1 | TRANSISTOR BAIXO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO RUÍDO | Motorola |
| 902494 | MRF927T3 | TRANSISTOR BAIXO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO RUÍDO | Motorola |
| 902495 | MRF9411LT1 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902496 | MRF947AT1 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902497 | MRF947BT1 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902498 | MRF947T1 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902499 | MRF947T3 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902500 | MRF949T1 | TRANSISTOR BAIXOS DO RUÍDO | Motorola |
| 902501 | MRF951 | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDA | Microsemi |
| 902502 | MRF9511LT1 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902503 | MRF957T1 | Ruído Baixo Do Silicone de NPN, Transistor Da Elevado-Freqüência | Motorola |
| 902504 | MRF959T1 | TRANSISTOR BAIXOS DO RUÍDO | Motorola |
| 902505 | MRF962 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 902506 | MRF9745T1 | FET DE ALTA FREQÜÊNCIA DO TRANSISTOR DE PODER LDMOS | Motorola |
| 902507 | MRF9811T1 | TRANSISTOR do Fet Do GaAs da ALTA FREQÜÊNCIA | Motorola |
| 902508 | MRF9820T1 | MODALIDADE BAIXA GaAs CASCODE do REALCE do RUÍDO da MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | Motorola |
| 902509 | MRF9822T1 | TRANSISTOR de PODER DE ALTA FREQÜÊNCIA GaAs PHEMT | Motorola |
| 902510 | MRFA2600 | AMPLIFICADOR DE PODER DO RF | Motorola |
| 902511 | MRFA2602 | AMPLIFICADOR DE PODER DO RF | Motorola |
| 902512 | MRFA2604 | AMPLIFICADOR DE PODER DO RF | Motorola |
| 902513 | MRFC8003 | Dados Do Transistor do Rf Do Silicone | Motorola |
| 902514 | MRFC8004 | Dados Do Transistor do Rf Do Silicone | Motorola |
| 902515 | MRFG35003M6T1 | MRFG35003M6T1 3.5 Gigahertz, 3 W, Fet GaAs PHEMT Do Poder De 6 V | Motorola |
| 902516 | MRFG35003MT1 | MRFG35003MT1 3.5 Gigahertz, 3 W, Fet GaAs PHEMT Do Poder De 12 V | Motorola |
| 902517 | MRFG35005MT1 | MRFG35005MT1 3.5 Gigahertz, 4.5 W, Fet GaAs PHEMT Do Poder De 12 V | Motorola |
| 902518 | MRFG35005NT1 | Transistor De Efeito De Campo Do Poder Do Arsenieto De Gallium PHEMT Rf | Freescale (Motorola) |
| 902519 | MRFG35010 | MRFG35010 3.5 Gigahertz, 10 W, Fet GaAs PHEMT Do Poder De 12 V | Motorola |
| 902520 | MRFG35010MT1 | MRFG35010MT1 3.5 Gigahertz, 9 W, Fet GaAs PHEMT Do Poder De 12 V | Motorola |
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