| 909380 | MT4LC8M8P4TG-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909381 | MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909382 | MT4LDT464H | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909383 | MT4LDT464HS | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909384 | MT4LDT464HX | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909385 | MT4LDT464HXS | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909386 | MT4LDT832HG-5X | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909387 | MT4LDT832HG-5XS | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909388 | MT4LDT832HG-6X | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909389 | MT4LDT832HG-6XS | MÓDULO DO DRAM DE SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909390 | MT4S03A | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909391 | MT4S03AU | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909392 | MT4S03BU | Rádio-freqüência transistor bipolar | TOSHIBA |
| 909393 | MT4S04A | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909394 | MT4S04AU | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909395 | MT4S06 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909396 | MT4S06U | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909397 | MT4S07 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 909398 | MT4S100T | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO | TOSHIBA |
| 909399 | MT4S100U | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO | TOSHIBA |
| 909400 | MT4S101T | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO | TOSHIBA |
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