| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 928641 | NE6500379 | PODER GaAs MESFET De 3W L/S-BAND | NEC |
| 928642 | NE6500379A | 3W L, PODER GaAs MESFET de S-BAND | NEC |
| 928643 | NE6500379A-T1 | 3W L, PODER GaAs MESFET de S-BAND | NEC |
| 928644 | NE6500496 | 4 W L, Fet do Fet N-CHANNEL GaAs MES Do GaAs do PODER de S-BAND | NEC |
| 928645 | NE650103M | NECS 10 PODER GaAs MESFET De W L & de S-BAND | California Eastern Laboratories |
| 928646 | NE650103M | NECS 10 PODER GaAs MESFET De W L & de S-BAND | California Eastern Laboratories |
| 928647 | NE650103M | 10 W, L & S-band GaAs poder MESFET. | NEC |
| 928648 | NE6501077 | 10 W L, Fet do Fet N-CHANNEL GaAs MES Do GaAs do PODER de S-BAND | NEC |
| 928649 | NE650R279A | 0.2 W L, Fet Do GaAs MES do PODER de S-BAND | NEC |
| 928650 | NE650R279A-T1 | 0.2 W L, Fet Do GaAs MES do PODER de S-BAND | NEC |
| 928651 | NE650R479A | 0.4 W L, Fet Do GaAs MES do PODER de S-BAND | NEC |
| 928652 | NE650R479A-T1 | 0.4 W L, Fet Do GaAs MES do PODER de S-BAND | NEC |
| 928653 | NE6510179 | 1 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928654 | NE6510179A | 1 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928655 | NE6510179A-T1 | 1 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928656 | NE6510379A | 3 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928657 | NE6510379A-T1 | 3 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928658 | NE651R479A | 0.4 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928659 | NE651R479A-T1 | 0.4 PODER GaAs HJ-FET De W L-BAND | NEC |
| 928660 | NE661M04 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN PARA BAIXO O RUÍDO ATUAL, BAIXO, 4-PINOS MINI-MOLD SUPER FINO DO AMPLIFICATION FLAT-LEAD DE HIGH-GAIN | NEC |
| 928661 | NE661M04-T2 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN PARA BAIXO O RUÍDO ATUAL, BAIXO, 4-PINOS MINI-MOLD SUPER FINO DO AMPLIFICATION FLAT-LEAD DE HIGH-GAIN | NEC |
| 928662 | NE662M04 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 928663 | NE662M04 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 928664 | NE662M04-T2 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 928665 | NE662M04-T2 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 928666 | NE662M16 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 928667 | NE662M16-T3 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 928668 | NE663M04-T2 | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 928669 | NE664M04 | TRANSISTOR MÉDIO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO PODER NPN | NEC |
| 928670 | NE664M04 | TRANSISTOR MÉDIO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO PODER NPN | NEC |
| 928671 | NE664M04-T2 | TRANSISTOR MÉDIO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO PODER NPN | NEC |
| 928672 | NE664M04-T2 | TRANSISTOR MÉDIO DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO PODER NPN | NEC |
| 928673 | NE66719-T1 | NPN transistor de silício de alta freqüência. | NEC |
| 928674 | NE67400 | L para o canal-N amplificador de baixo ruído de banda Ku GaAs MESFET. Idss 20 e 120 mA. | NEC |
| 928675 | NE67483B | L para o canal-N amplificador de baixo ruído de banda Ku GaAs MESFET. Idss 20 e 120 mA. | NEC |
| 928676 | NE677M04 | TRANSISTOR MÉDIO da ALTA FREQÜÊNCIA do SILICONE do PODER NPN De NECs | California Eastern Laboratories |
| 928677 | NE677M04 | TRANSISTOR MÉDIO da ALTA FREQÜÊNCIA do SILICONE do PODER NPN De NECs | California Eastern Laboratories |
| 928678 | NE677M04-T2 | TRANSISTOR MÉDIO da ALTA FREQÜÊNCIA do SILICONE do PODER NPN De NECs | California Eastern Laboratories |
| 928679 | NE677M04-T2 | TRANSISTOR MÉDIO da ALTA FREQÜÊNCIA do SILICONE do PODER NPN De NECs | California Eastern Laboratories |
| 928680 | NE677M04-T2 | Potência média de silício NPN transistor de alta freqüência. | NEC |
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