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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1C395-MB290-E40011.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
2C395-XB290-E400-A16.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
3C395-XB290-E400-B16.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
4C400-MB290-E40012.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
5C405-MB290-E40012.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
6C405-XB290-E400-A17.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
7C405-XB290-E400-B17.0mW; color: UV; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
8C405-XB900-A250mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
9C405-XB900-B250mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
10C430-CB230-E1000650uW; 15mA; LED super brilhante em alta resolução de monitores de vídeoCREE POWER
11C430-CB290-E10001150uW; 30 mA; LED super brilhante para telas coloridas e móveis completos painéis de mensagemCREE POWER
12C430-UB290-E10002.0mW; 30 mA; LED super brilhante para telas coloridas e móveis completos painéis de mensagemCREE POWER
13C450-CB290-E10003,5mW; cor: azul profundo; 3.3-3.7V; super brilhante LED InGaNCREE POWER
14C460-CB230-E10001.3W; cor: azul profundo; 3.7V; LED de baixo InGaN atualCREE POWER
15C460-CB290-E10003.0mW; cor: azul profundo; 3.3-3.7V; super brilhante LED InGaNCREE POWER
16C460-MB290-E100011.0mW; cor: azul profundo; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
17C460-UB290-E10005.5mW; cor: azul profundo; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
18C460-UB291-E10005.5mW; cor: azul profundo; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
19C460-XB290-E1000-A15.0mW; cor: azul profundo; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
20C460-XB290-E1000-B14.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
21C470-CB230-E10001.3W; cor: azul profundo; 3.7V; LED de baixo InGaN atualCREE POWER
22C470-CB290-E10002,5 mW; color: blue; 3.3-3.7V; super brilhante LED InGaNCREE POWER
23C470-MB290-E100010.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
24C470-UB290-E10005.0mW; color: blue; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
25C470-UB291-E10005.0mW; color: blue; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
26C470-XB290-E1000-A14.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
27C470-XB290-E1000-B14.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
28C470-XB900-A150mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
29C470-XB900-B150mW; color: blue; 3.7-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
30C490-CB290-E10002,5 mW; cor: azul-claro; 3.3-3.7V; super brilhante LED InGaNCREE POWER
31C490-UB290-E10004.8mW; cor: azul-claro; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
32C503-MB290-E10008.0mW; cor: verde; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
33C505-CB290-E10002.0mW; cor: verde; 3.3-3.7V; super brilhante LED InGaNCREE POWER
34C505-MB290-E10008.0mW; cor: verde; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
35C505-UB290-E10003,5mW; cor: verde; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
36C505-XB290-E1000-A11.0mW; cor: verde; 3.8-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
37C505-XB290-E1000-B11.0mW; cor: verde; 3.8-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
38C525-CB230-E10000.650W; cor: verde; 3.7V; LED de baixo InGaN atualCREE POWER
39C525-CB290-E10001,5 MW; cor: verde; 3.3-3.7V; super brilhante LED InGaNCREE POWER
40C525-UB290-E10003.0mW; cor: verde; 3.5-3.9V; LED brilhante InGaN de ultraCREE POWER
41C527-MB290-E10007.0mW; cor: verde; 3.7-4.0V; Mega brilhante InGaN LEDCREE POWER
42C527-XB290-E1000-A9.0mW; cor: verde; 3.8-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
43C527-XB290-E1000-B9.0mW; cor: verde; 3.8-4.0V; LED Xbright InGaNCREE POWER
44CRF-22010-00162.5mW; 120VDC; SiC RF poder MESFET. Para a classe A, amplificadores AB; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, amplificadores de banda larga, amplificadores de CATV, MMDSCREE POWER
45CRF-22010-10162.5mW; 120VDC; SiC RF poder MESFET. Para a classe A, amplificadores AB; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, amplificadores de banda larga, amplificadores de CATV, MMDSCREE POWER



46CRF-22010-TB50VDC; 66W; placa de avaliação para CRF-22010 versão A (banda estreita)CREE POWER
47CSD01060A600V; 1A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
48CSD01060E600V; 1A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
49CSD04060A600V; 4A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
50CSD04060B600V; 4A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
51CSD04060E600V; 4A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
52CSD05120A1200V; 5A; zero, retificador de recuperação. Para fontes chaveadas de alimentação, correção do fator de potência, controle motor, multiplicadores de alta tensãoCREE POWER
53CSD06060A600V; 6A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
54CSD06060B600V; 6A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
55CSD06060G600V; 6A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
56CSD10060A600V; 10A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
57CSD10060B600V; 10A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
58CSD10060G600V; 10A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
59CSD10120D1200V; 5A; zero, retificador de recuperação. Para fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência, controle motorCREE POWER
60CSD20060D600V; 20A; zero, retificador de recuperação. Para fontes chaveadas de alimentação, correção do fator de potência, controle motor, amortecedorCREE POWER
61CXXX-CB230-E10005V; 125mA; super brilhante LED. Para aparelhos de comunicação, iluminação de fundo, de alta resolução de vídeo é exibidoCREE POWER
62CXXX-CB290-S01005V; 30 mA; super brilhante LED. Para exposições ao ar livre diodo emissor de luz de vídeo, iluminação do painel automative, LEDs brancos e fundoCREE POWER
63CXXX-MB290-E10005V; 30 mA; super brilhante LED. Para exposições ao ar livre diodo emissor de luz de vídeo, iluminação do painel automative, LEDs brancos e fundoCREE POWER
64CXXX-MB290-S01005V; 30 mA; super brilhante LED. Para exposições ao ar livre diodo emissor de luz de vídeo, iluminação do painel automative, LEDs brancos e fundoCREE POWER
65CXXX-UB290-S10005V; 30 mA; super brilhante LED. Para exposições ao ar livre diodo emissor de luz de vídeo, iluminação do painel automative, LEDs brancos e fundoCREE POWER
66CXXX-UB29X-S01005V; 30 mA; super brilhante LED. Para exposições ao ar livre diodo emissor de luz de vídeo, iluminação do painel automative, LEDs brancos e fundoCREE POWER
67W4NRD0X-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; Substratos LCW; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V deposCREE POWER
68W4NRD8C-U000Diâmetro: 50,8 milímetros; ultra-baixa densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônCREE POWER
69W4NXD8C-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicoCREE POWER
70W4NXD8C-L000Diâmetro: 50,8 milímetros; baixa densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos,CREE POWER
71W4NXD8C-S000Diâmetro: 50,8 milímetros; selecionar densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrôniCREE POWER
72W4NXD8D-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicoCREE POWER
73W4NXD8D-S000Diâmetro: 50,8 milímetros; selecionar densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrôniCREE POWER
74W4NXD8G-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicoCREE POWER
75W6NRD0X-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; Tipo LCW; Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V deposição de nitreCREE POWER
76W6NRE0X-0000Diâmetro: 76,2 milímetros; Tipo LCW; Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V deposição de nitreCREE POWER
77W6NXD0K-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; lsemi-isolante (protótipo); Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V dCREE POWER
78W6NXD0KLSR-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; lsemi-isolante (protótipo); Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V dCREE POWER
79W6NXD3J-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; lsemi-isolante (protótipo); Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V dCREE POWER
80W6NXD3K-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; lsemi-isolante (protótipo); Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V dCREE POWER
81W6NXD3L-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; lsemi-isolante (protótipo); Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V dCREE POWER
82W6PXD3O-0000Diâmetro: 50,8 milímetros; lsemi-isolante (protótipo); Carboneto de silício-6H. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V dCREE POWER

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