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2N3636 Manufaturado perto: |
1.000W RF PNP metal pode transistor. 175V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. Outros com a mesma lima para o datasheet: 2N3637, 2N3635, |
Pdf da folha de dados do download 2N3636 datasheet do Continental Device India Limited |
pdf 129 kb |
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Transistor de PNP Outros com a mesma lima para o datasheet: JANS2N3634L, 2N3636L, 2N3637L, JAN2N3634, JAN2N3634L, |
Pdf da folha de dados do download 2N3636 datasheet do Microsemi |
pdf 63 kb |
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TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE PNP) Outros com a mesma lima para o datasheet: 2N3634, |
Pdf da folha de dados do download 2N3636 datasheet do Boca Semiconductor Corporation |
pdf 223 kb |
2N3635L | Vista 2N3636 a nosso catálogo | 2N3636L |