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| 2N4123 Manufaturado perto: | 
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 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 30V = VCEO. Tensão colector-base: 40V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do USHA India LTD |
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 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal Outros com a mesma lima para o datasheet: 2N4124, 2N4125, 2N4126, |
Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do Central Semiconductor |
pdf 85 kb |
 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do ON Semiconductor |
pdf 167 kb |
 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do Samsung Electronic |
pdf 35 kb |
 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do Micro Electronics |
pdf 91 kb |
 | Planar epitaxial passivadas NPN transistor de silício. 30V, 200mA. | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
 | Transistor 625mW Da Finalidade Geral Do Silicone de NPN | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do Micro Commercial Components |
pdf 749 kb |
 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 345 kb |
 | Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistor | Pdf da folha de dados do download 2N4123 datasheet do MCC |
pdf 749 kb |
| 2N4119A | Vista 2N4123 a nosso catálogo | 2N4123-D |