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| IRF320 Manufaturado perto: | 
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 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 3.0A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF323, IRF322, IRF321, |
Pdf da folha de dados do download IRF320 datasheet do General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | 2.8A e 3.3A/ 350V e 400V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 1.8 e 2.5 ohm | Pdf da folha de dados do download IRF320 datasheet do Intersil |
pdf 72 kb |
 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF320 datasheet do Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
 | MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V Do Poder Da N-Canaleta Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Pdf da folha de dados do download IRF320 datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
| IRF3007S | Vista IRF320 a nosso catálogo | IRF320-323 |