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| IRF422 Manufaturado perto: | 
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 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF420, IRF423, IRF421, |
Pdf da folha de dados do download IRF422 datasheet do General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF422 datasheet do Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
 | 2.2A e 2.5A/ 450V e 500V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 3.0 e 4.0 ohms | Pdf da folha de dados do download IRF422 datasheet do Intersil |
pdf 74 kb |
 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Pdf da folha de dados do download IRF422 datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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