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IRF530 Manufaturado perto: |
N-Channel Enhancement-Mode porta de silicone | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do ON Semiconductor |
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N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 14A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF531, IRF532, IRF533, |
Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do General Electric Solid State |
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100 V, potência transistor de efeito de campo | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do TRANSYS Electronics Limited |
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DA PORTA DE SILICONE TMOS DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do Motorola |
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100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF530PBF, |
Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do International Rectifier |
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MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do Samsung Electronic |
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TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF530FI, |
Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do SGS Thomson Microelectronics |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - MOSFET BAIXO DO PODER DA CARGA STRIPFET II DA PORTA DE 14A TO-220 | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do ST Microelectronics |
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PORTA DE SILICONE DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do TRSYS |
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N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
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14A, 100V, 0.160 Ohm, MOSFETs Do Poder Da N-Canaleta | Pdf da folha de dados do download IRF530 datasheet do Fairchild Semiconductor |
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IRF523 | Vista IRF530 a nosso catálogo | IRF530-D |