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Veja todos os datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A.

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General Electric Solid State
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Veja todos os datasheets de ST MicroelectronicsPRODUCT:NOT VELHO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO

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Veja todos os datasheets de International Rectifier200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB

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IRF620PBF,
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International Rectifier
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Veja todos os datasheets de Intersil5.0A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.800 Ohm Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do
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Veja todos os datasheets de Fairchild Semiconductor5.0A, 200V, 0.800 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do
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Veja todos os datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsN - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do
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Veja todos os datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsTRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do
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IRF6156Vista IRF620 a nosso catálogoIRF620B



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