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IRF620 Manufaturado perto: |
N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF621, IRF622, IRF623, |
Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do General Electric Solid State |
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PRODUCT:NOT VELHO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF620FI, |
Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do ST Microelectronics |
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200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF620PBF, |
Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do International Rectifier |
pdf 182 kb |
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5.0A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.800 Ohm | Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do Intersil |
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5.0A, 200V, 0.800 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do Fairchild Semiconductor |
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N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do SGS Thomson Microelectronics |
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TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF620 datasheet do SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
IRF6156 | Vista IRF620 a nosso catálogo | IRF620B |