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| IRF822 Manufaturado perto: | 
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 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF820, IRF823, IRF821, |
Pdf da folha de dados do download IRF822 datasheet do General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Pdf da folha de dados do download IRF822 datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF822 datasheet do Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
 | N-channel modo de aumento de potência MOS transistor, 500V, 2.8A Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF820FI, IRF822FI, |
Pdf da folha de dados do download IRF822 datasheet do SGS Thomson Microelectronics |
pdf 175 kb |
| IRF821FI | Vista IRF822 a nosso catálogo | IRF822FI |