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NDH833N Manufaturado perto: |
Transistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta | Pdf da folha de dados do download NDH833N datasheet do National Semiconductor |
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Comprimento / Altura 1,02 milímetros Largura 4,55 milímetros Profundidade 4,06 milímetros de dissipação de energia 1,8 W Transistor polaridade N Canal Id atual cont. 7.1 A tensão Vgs th max. 2,7 V de tensão Vds max 20 V | Pdf da folha de dados do download NDH833N datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 224 kb |
NDH832P | Vista NDH833N a nosso catálogo | NDH834P |