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| TSD4M150F Manufaturado perto: | 
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 | V (DS): 100V; V (DGR): 100V; V (GS): + -20V; 500W; I (d): 135A; N-canal de energia modo de melhoramento ISOFET módulo transistor MOS. Para DC-DC e DC-AC conversores, SMPS e UPS, controle motor, armazenamento de saída para PWM, circuitos Outros com a mesma lima para o datasheet: TSD4M150V, |
Pdf da folha de dados do download TSD4M150F datasheet do SGS Thomson Microelectronics |
pdf 359 kb |
 | MÓDULO DO TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE ISOFET DO REALCE DE N-CHANNEL Outros com a mesma lima para o datasheet: TSD4M150, |
Pdf da folha de dados do download TSD4M150F datasheet do ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
| MÓDULO DO TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE ISOFET DO REALCE DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download TSD4M150F datasheet do ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
| TSD4M150 | Vista TSD4M150F a nosso catálogo | TSD4M150V |