Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
601 | H11A5100 | H11A520 H11A550 H11A5100 | General Electric Solid State |
602 | H11A520 | H11A520 H11A550 H11A5100 | General Electric Solid State |
603 | H11A550 | H11A520 H11A550 H11A5100 | General Electric Solid State |
604 | H11B255 | Photon juntamente isolador. Ga Como diodo emissor de infravermelho e de silício NPN amplificador foto-darlington. | General Electric Solid State |
605 | H23A1 | DETETOR EMISSOR COMBINADO | General Electric Solid State |
606 | H23A2 | DETETOR EMISSOR COMBINADO | General Electric Solid State |
607 | H23B1 | PAR COMBINADO DO DETETOR DO EMISSOR | General Electric Solid State |
608 | H23L1 | Par Combinado H23L1 Do Emissor-Detetor | General Electric Solid State |
609 | H74A1 | O PHOTON ACOPLOU O ISOLADOR | General Electric Solid State |
610 | ICL7605 | Amplificador Comutando De Instrumentaion Do Automóvel-Zero Da Confiabilidade Elevada | General Electric Solid State |
611 | ICL8007 | Amplificador Operacional Input JFET Elevado Da Confiabilidade | General Electric Solid State |
612 | ICL8022 | (ICL8021/ICL8023) Amplificador Operacional Bipolar Do Poder Baixo | General Electric Solid State |
613 | IRF120 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 32A atual. | General Electric Solid State |
614 | IRF121 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 32A atual. | General Electric Solid State |
615 | IRF122 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 28A atual. | General Electric Solid State |
616 | IRF123 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 28A atual. | General Electric Solid State |
617 | IRF130 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 56A atual. | General Electric Solid State |
618 | IRF131 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 56A atual. | General Electric Solid State |
619 | IRF132 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 48A atual. | General Electric Solid State |
620 | IRF133 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 48A atual. | General Electric Solid State |
621 | IRF150 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
622 | IRF151 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
623 | IRF152 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
624 | IRF153 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
625 | IRF220 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
626 | IRF221 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
627 | IRF222 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
628 | IRF223 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
629 | IRF230 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
630 | IRF231 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
631 | IRF232 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
632 | IRF233 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
633 | IRF241 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
634 | IRF243 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
635 | IRF250 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
636 | IRF251 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
637 | IRF252 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
638 | IRF253 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
639 | IRF320 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
640 | IRF321 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
641 | IRF322 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
642 | IRF323 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
643 | IRF330 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
644 | IRF331 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
645 | IRF332 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
646 | IRF333 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
647 | IRF350 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
648 | IRF351 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
649 | IRF352 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
650 | IRF353 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
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