| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 401 | G6849-01 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 402 | G6854-01 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 403 | G7096 | PHOTODETECTORS DE ULTRAFAST MSM | Hamamatsu Corporation |
| 404 | G7096-01 | PHOTODETECTORS DE ULTRAFAST MSM | Hamamatsu Corporation |
| 405 | G7150 | PINO disposição de InGaAs do fotodiodo | Hamamatsu Corporation |
| 406 | G7150-16 | Área ativa: 0.45x1mm; faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; Tensão reversa: 5V; InGaAs fotodiodo PIN matriz: 16-elemento da matriz. Para infravermelho próximo (NIR) espectrofotômetro | Hamamatsu Corporation |
| 407 | G7151-16 | PINO disposição de InGaAs do fotodiodo | Hamamatsu Corporation |
| 408 | G7189 | Fotodiodo de GaAsP | Hamamatsu Corporation |
| 409 | G7751-01 | Área ativa: 0,6 milímetros; tensão de entrada externa: + - 18V; módulo detector infravermelho com pré-amplificador: alta sensibilidade módulo de fácil-de-usar. Para a detecção de infravermelhos | Hamamatsu Corporation |
| 410 | G7751-02 | Módulo infravermelho do detetor com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 411 | G7751-21 | Módulo infravermelho do detetor com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 412 | G7752-10 | Módulo infravermelho do detetor com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 413 | G7754-01 | Módulo infravermelho do detetor com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 414 | G7754-03 | Módulo infravermelho do detetor com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 415 | G7871 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 416 | G7871-02 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 417 | G7881 | Tensão de alimentação: 0.3-5.5V; InGaAs fotodiodo PIN com pré-amplificador: tipo de recipiente, 1,3 / 1.55um, 156, 622Mbps / 1,25, 2,5 Gbps. Para comunicações de fibras ópticas, de canal de fibra, gigabit Enthernet, HDTV, SDH | Hamamatsu Corporation |
| 418 | G7881-21 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 419 | G7881-22 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 420 | G7881-23 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 421 | G7881-32 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 422 | G7881-44 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 423 | G8194 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 424 | G8194-21 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 425 | G8194-22 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 426 | G8194-23 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 427 | G8194-32 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 428 | G8194-44 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 429 | G8195 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 430 | G8195-11 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 431 | G8195-12 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 432 | G8195-21 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433 | G8195-22 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 434 | G8195-31 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 435 | G8195-32 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 436 | G8198 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 437 | G8198-01 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 438 | G8198-02 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 439 | G8211-11 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 440 | G8211-12 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 441 | G8211-21 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 442 | G8211-22 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 443 | G8211-31 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 444 | G8211-32 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 445 | G8338 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 446 | G8338-02 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 447 | G8339 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 448 | G8339-21 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 449 | G8339-22 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 450 | G8339-23 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| | | |
