| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1001 | BCX68-10 | Transistor Da Finalidade Geral - SOT89; VCEO=20 V; hFE=85... 160 | Infineon |
| 1002 | BCX68-16 | Transistor Da Finalidade Geral - SOT89; VCEO=20V; hFE=100... 250 | Infineon |
| 1003 | BCX68-25 | Transistor Da Finalidade Geral - SOT89; VCEO=20V; hFE=160... 375 | Infineon |
| 1004 | BCX69 | Transistor do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
| 1005 | BCX69-10 | Transistor Da Finalidade Geral - SOT89; VCEO=20V; hFE=85..375 | Infineon |
| 1006 | BCX69-16 | Transistor Da Finalidade Geral - SOT89; VCEO=20V; hFE=100..250 | Infineon |
| 1007 | BCX69-25 | Transistor Da Finalidade Geral - SOT89; VCEO=20V; hFE=160..375 | Infineon |
| 1008 | BCX70 | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 1009 | BCX70G | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1010 | BCX70H | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1011 | BCX70J | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1012 | BCX70K | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1013 | BCX71 | Transistor do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
| 1014 | BCX71G | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
| 1015 | BCX71H | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
| 1016 | BCX71J | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
| 1017 | BCX71K | Transistor Da Finalidade Geral - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
| 1018 | BDP 955 E6327 | Únicos transistor do AF para a finalidade geral | Infineon |
| 1019 | BDP947 | Transistor da finalidade geral - transistor de poder do AF do silicone de NPN para estágios do excitador e da saída do AF | Infineon |
| 1020 | BDP948 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
| 1021 | BDP949 | Transistor da finalidade geral - transistor de poder do AF do silicone de NPN para estágios do excitador e da saída do AF | Infineon |
| 1022 | BDP950 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
| 1023 | BDP951 | Transistor da finalidade geral - transistor de poder do AF do silicone de NPN para estágios do excitador e da saída do AF | Infineon |
| 1024 | BDP952 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
| 1025 | BDP953 | Transistor da finalidade geral - transistor de poder do AF do silicone de NPN para estágios do excitador e da saída do AF | Infineon |
| 1026 | BDP954 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
| 1027 | BDP955 | Transistor da finalidade geral - transistor de poder do AF do silicone de NPN para estágios do excitador e da saída do AF | Infineon |
| 1028 | BDP956 | Transistor da finalidade geral - pacote SOT223 | Infineon |
| 1029 | BF1005 | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1030 | BF1005R | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1031 | BF1005S | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1032 | BF1005SR | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1033 | BF1005SW | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 1034 | BF1005W | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 1035 | BF1009 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone para... | Infineon |
| 1036 | BF1009S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone para... | Infineon |
| 1037 | BF1009S | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet na demanda | Infineon |
| 1038 | BF1009SR | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet na demanda | Infineon |
| 1039 | BF1012S | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 1040 | BF2030 | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1041 | BF2030R | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1042 | BF2030W | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1043 | BF2040 | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1044 | BF2040R | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1045 | BF2040W | RF-MOSFET - integrado semi inclinando a rede, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1046 | BF254 | Transistor do Rf | Infineon |
| 1047 | BF414 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Infineon |
| 1048 | BF420 | Transistor do silicone de NPN com Reve elevado... | Infineon |
| 1049 | BF421 | Transistor do silicone de PNP com Reve elevado... | Infineon |
| 1050 | BF422 | Transistor do silicone de NPN com Reve elevado... | Infineon |
| 1051 | BF506 | Transistor do Rf Do Silicone de PNP | Infineon |
| 1052 | BF517 | RF-Bipolar - para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners | Infineon |
| 1053 | BF543 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
| 1054 | BF569 | Transistor do RF do silicone de PNP | Infineon |
| 1055 | BF569W | Transistor do RF do silicone de PNP | Infineon |
| 1056 | BF660 | Transistor do RF do silicone de PNP | Infineon |
| 1057 | BF660W | Transistor do RF do silicone de PNP | Infineon |
| 1058 | BF720 | Transistor Da Alta tensão Do Silicone de NPN | Infineon |
| 1059 | BF721 | Transistor Da Alta tensão Do Silicone de PNP | Infineon |
| 1060 | BF722 | Transistor Da Alta tensão Do Silicone de NPN | Infineon |
| 1061 | BF723 | Transistor Da Alta tensão Do Silicone de PNP | Infineon |
| 1062 | BF770A | RF-Bipolar - para SE amplificadores em tuners Tevê-sentados e para moduladores do VCR | Infineon |
| 1063 | BF771 | RF-Bipolar - para moduladores e amplificadores em tuners da tevê e do VCR | Infineon |
| 1064 | BF771W | RF-Bipolar - para moduladores e amplificadores em tuners da tevê e do VCR | Infineon |
| 1065 | BF772 | RF-Bipolar - para a aplicação em tuners Tevê-sentados | Infineon |
| 1066 | BF775 | RF-Bipolar - especial apropriado para tuners Tevê-Sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | Infineon |
| 1067 | BF775A | Transistor do RF do silicone de NPN especial... | Infineon |
| 1068 | BF775W | Transistor do RF do silicone de NPN especial... | Infineon |
| 1069 | BF799 | Transistor do RF do silicone de NPN para linear... | Infineon |
| 1070 | BF799 | RF-Bipolar - para a aplicação broadband linear do amplificador até 500 megahertz e como o excitador do filtro da SERRA em tuners da tevê | Infineon |
| 1071 | BF799W | RF-Bipolar - para a aplicação broadband linear do amplificador até 500 megahertz e como o excitador do filtro da SERRA em tuners da tevê | Infineon |
| 1072 | BF840 | Transistor do RF do silicone de NPN para a terra comum... | Infineon |
| 1073 | BF841 | Transistor do RF do silicone de NPN para a terra comum... | Infineon |
| 1074 | BF987 | Triode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 1075 | BF998 | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 1076 | BF998R | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 1077 | BF998W | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 1078 | BF999 | Triode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 1079 | BF999 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
| 1080 | BFG135A | RF-Bipolar - para o amplificador broadband da baixo-distorção encena até 2GHz, amplificadores de poder em sistemas de DECT e de PCN | Infineon |
| 1081 | BFG19 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Infineon |
| 1082 | BFG193 | Transistor do RF do silicone de NPN para o noi baixo... | Infineon |
| 1083 | BFG193 | RF-Bipolar - para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2 gigahertz e amplificadores broadband lineares | Infineon |
| 1084 | BFG194 | Transistor do RF do silicone de PNP para dis baixos... | Infineon |
| 1085 | BFG196 | RF-Bipolar - para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa em sistemas wireless até 1.5 gigahertz | Infineon |
| 1086 | BFG19S | RF-Bipolar - para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa em sistemas wireless até 1.5 gigahertz | Infineon |
| 1087 | BFG235 | RF-Bipolar - para estágios broadband do amplificador da saída da baixo-distorção em sistemas wireless até 2 gigahertz | Infineon |
| 1088 | BFN16 | Transistor de alta tensão f do silicone de NPN... | Infineon |
| 1089 | BFN16 | Transistor De alta tensão - Transistor Da Alta tensão de SOT89 NPN | Infineon |
| 1090 | BFN17 | Transistor de alta tensão f do silicone de PNP... | Infineon |
| 1091 | BFN18 | Transistor De alta tensão - Transistor Da Alta tensão de SOT89 NPN | Infineon |
| 1092 | BFN18 | Transistor de alta tensão f do silicone de NPN... | Infineon |
| 1093 | BFN19 | Transistor De alta tensão - Transistor Da Alta tensão de SOT89 PNP | Infineon |
| 1094 | BFN19 | Transistor de alta tensão f do silicone de PNP... | Infineon |
| 1095 | BFN24 | Transistor de alta tensão f do silicone de NPN... | Infineon |
| 1096 | BFN24 | Transistor De alta tensão - Transistor Da Alta tensão de SOT23 NPN | Infineon |
| 1097 | BFN25 | Transistor de alta tensão f do silicone de PNP... | Infineon |
| 1098 | BFN26 | Transistor de alta tensão f do silicone de NPN... | Infineon |
| 1099 | BFN26 | Transistor De alta tensão - Transistor Da Alta tensão de SOT23 NPN | Infineon |
| 1100 | BFN27 | Transistor de alta tensão f do silicone de PNP... | Infineon |
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