| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 851 | ISPLSI5384VA-70LB388 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 852 | ISPLSI5384VA-70LQ208 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 853 | ISPLSI5512VA | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 854 | ISPLSI5512VA-100LB272 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 855 | ISPLSI5512VA-100LB388 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 856 | ISPLSI5512VA-100LQ208 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 857 | ISPLSI5512VA-110LB272 | 110 MHz no sistema prommable superwide 3.3V de alta densidade PLD | Lattice Semiconductor |
| 858 | ISPLSI5512VA-110LB388 | 110 MHz no sistema prommable superwide 3.3V de alta densidade PLD | Lattice Semiconductor |
| 859 | ISPLSI5512VA-110LQ208 | 110 MHz no sistema prommable superwide 3.3V de alta densidade PLD | Lattice Semiconductor |
| 860 | ISPLSI5512VA-125LB272 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 861 | ISPLSI5512VA-125LB388 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 862 | ISPLSI5512VA-125LQ208 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 863 | ISPLSI5512VA-70LB272 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 864 | ISPLSI5512VA-70LB388 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 865 | ISPLSI5512VA-70LB388I | 70 MHz no sistema prommable superwide 3.3V de alta densidade PLD | Lattice Semiconductor |
| 866 | ISPLSI5512VA-70LQ208 | Densidade Elevada Programável PLD Do Em-Sistema 3.3V SuperWIDE | Lattice Semiconductor |
| 867 | ISPLSI5512VE-100LB388 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 868 | ISPLSI5512VE-100LB388I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 869 | ISPLSI5512VE-100LF256 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 870 | ISPLSI5512VE-100LF256I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 871 | ISPLSI5512VE-100LF272 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 872 | ISPLSI5512VE-100LF272I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 873 | ISPLSI5512VE-100LF388 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 874 | ISPLSI5512VE-100LF388I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 100 MHz, tpd 10 ns. | Lattice Semiconductor |
| 875 | ISPLSI5512VE-125LB388 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 876 | ISPLSI5512VE-125LB388I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 877 | ISPLSI5512VE-125LF256 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 878 | ISPLSI5512VE-125LF256I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 879 | ISPLSI5512VE-125LF272 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 880 | ISPLSI5512VE-125LF272I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 881 | ISPLSI5512VE-125LF388 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 882 | ISPLSI5512VE-125LF388I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 125 MHz, tpd 7,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 883 | ISPLSI5512VE-155LB388 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 155 MHz, tpd 6,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 884 | ISPLSI5512VE-155LF256 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 155 MHz, tpd 6,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 885 | ISPLSI5512VE-155LF272 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 155 MHz, tpd 6,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 886 | ISPLSI5512VE-155LF388 | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 155 MHz, tpd 6,5 ns. | Lattice Semiconductor |
| 887 | ISPLSI5512VE-80LB388I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 80 MHz, tpd 12 ns. | Lattice Semiconductor |
| 888 | ISPLSI5512VE-80LF256I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 80 MHz, tpd 12 ns. | Lattice Semiconductor |
| 889 | ISPLSI5512VE-80LF272I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 80 MHz, tpd 12 ns. | Lattice Semiconductor |
| 890 | ISPLSI5512VE-80LF388I | 3.3V superwide PLD de alta densidade no sistema programável. fmax 80 MHz, tpd 12 ns. | Lattice Semiconductor |
| 891 | ISPLSI81080V | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 892 | ISPLSI81080V-125LB272 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 893 | ISPLSI81080V-125LB492 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 894 | ISPLSI81080V-60LB272 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 895 | ISPLSI81080V-60LB492 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 896 | ISPLSI81080V-90LB272 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 897 | ISPLSI81080V-90LB492 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 898 | ISPLSI8600V | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 899 | ISPLSI8600V-125LB272 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
| 900 | ISPLSI8600V-125LB492 | Densidade Elevada Programável PLD De SuperBIG Do Em-Sistema 3.3V | Lattice Semiconductor |
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