|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



As folhas de dados encontraram :: 2782 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versión española para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
351GAL22V10D-25LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
352GAL22V10D-25LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
353GAL22V10D-25QJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
354GAL22V10D-25QPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
355GAL22V10D-4LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
356GAL22V10D-5LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
357GAL22V10D-7LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
358GAL22V10D-7LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
359GAL22V10D-7LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
360GAL22V10D-7LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
361GAL26CLV12Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLDLattice Semiconductor
362GAL26CLV12D-5LJBaixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLDLattice Semiconductor
363GAL26CLV12D-7LJBaixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLDLattice Semiconductor
364GAL26CV12Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
365GAL26CV12B-10LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
366GAL26CV12B-10LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
367GAL26CV12B-15LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
368GAL26CV12B-15LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
369GAL26CV12B-15LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
370GAL26CV12B-15LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
371GAL26CV12B-20LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
372GAL26CV12B-20LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
373GAL26CV12B-20LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
374GAL26CV12B-20LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
375GAL26CV12C-10LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
376GAL26CV12C-10LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
377GAL26CV12C-7LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
378GAL26CV12C-7LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
379GAL6001Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor



380GAL6001B-30LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
381GAL6001B-30LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
382GAL6002Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
383GAL6002B-15LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
384GAL6002B-15LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
385GAL6002B-20LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
386GAL6002B-20LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
387H16550SUART com FIFOs núcleo interface síncrona CPU.Lattice Semiconductor
388IPSPAC-POWR1208-01T44ENo sistema de controlador programável sequenciamento de alimentação e monitor.Lattice Semiconductor
389IPSPAC-POWR1208-01T44INo sistema de controlador programável sequenciamento de alimentação e monitor.Lattice Semiconductor
390IPSPAC-POWR1208-01TN44ENo sistema de controlador programável sequenciamento de alimentação e monitor.Lattice Semiconductor
391IPSPAC-POWR1208-01TN44INo sistema de controlador programável sequenciamento de alimentação e monitor.Lattice Semiconductor
392ISGAL22V10C-7LKEm-Sistema E2CMOS Programável PLDLattice Semiconductor
393ISP1032ELógica Programável Da Elevado-DensidadeLattice Semiconductor
394ISP1048ELógica Programável Da Elevado-DensidadeLattice Semiconductor
395ISPCLOCK5600O Em-Sistema programável, Zero-Atrasa o gerador de pulso de disparo com amortecedor universal do fan-OutLattice Semiconductor
396ISPGAL22V10Em-Sistema E2CMOS Programável PLDLattice Semiconductor
397ISPGAL22V10B-10LJEm-Sistema E2CMOS Programável PLDLattice Semiconductor
398ISPGAL22V10B-15LJEm-Sistema E2CMOS Programável PLDLattice Semiconductor
399ISPGAL22V10B-7LJEm-Sistema E2CMOS Programável PLDLattice Semiconductor
400ISPGAL22V10C-10LJEm-Sistema E2CMOS Programável PLDLattice Semiconductor

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/pt/latticesemiconductor/1/