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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1012N4402TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
1022N4403TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
1032N4416FET DE N-CHANNELMicro Electronics
1042N4416AFET DE N-CHANNELMicro Electronics
1052N5086TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1062N5087TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1072N5088TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1082N5089TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1092N5179TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DO RF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1102N5209TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1112N5210TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1122N5225TRANSISTOR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1132N5232TRANSISTOR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1142N5249TRANSISTOR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1152N5307AMPLIFICADOR DE NPN DARLINGTONMicro Electronics
1162N5308AMPLIFICADOR DE NPN DARLINGTONMicro Electronics
1172N5367TRANSISTOR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
1182N5367(R)TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
1192N5368AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1202N5369AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1212N5370AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1222N5371AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1232N5372AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1242N5373AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1252N5374AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1262N5375AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1272N5400TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1282N5401TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1292N5447TRANSISTOR DO AF DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics



1302N5448TRANSISTOR DO AF DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1312N5449TRANSISTOR DO AF DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1322N5450TRANSISTOR DO AF DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1332N5484TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DA JUNÇÃO DE N-CHANNELMicro Electronics
1342N5485TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DA JUNÇÃO DE N-CHANNELMicro Electronics
1352N5486TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DA JUNÇÃO DE N-CHANNELMicro Electronics
1362N5550TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1372N5551TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONEMicro Electronics
1382N5770TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
1392N5810TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1402N5811TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1412N5812TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1422N5813TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1432N5814TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1442N5815TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1452N5816TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1462N5817TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1472N5818TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1482N5819TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1492N5820TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics
1502N5821TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONEMicro Electronics

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