| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 501 | CM800HA-34H | Módulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 502 | CM800HA-50H | Módulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 503 | CM800HA-66H | Módulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 504 | CM800HB-50H | Módulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 505 | CM800HB-66H | Módulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 506 | CM900HB-90H | Módulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 507 | CR02 | TIPO PLANAR DO PASSIVATION DO USO BAIXO DO PODER | Mitsubishi Electric Corporation |
| 508 | CR02AM | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 509 | CR02AM-4 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 510 | CR02AM-6 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 511 | CR02AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 512 | CR02AM-8A | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 513 | CR03AM | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 514 | CR03AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 515 | CR03AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 516 | CR04 | TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION DO USO BAIXO DO PODER | Mitsubishi Electric Corporation |
| 517 | CR04AM | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 518 | CR04AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 519 | CR04AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 520 | CR05AS | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 521 | CR05AS-4 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 522 | CR05AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 523 | CR08AS | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 524 | CR08AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 525 | CR08AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 526 | CR10C | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 527 | CR10CY | TIRISTOR HIGH-SPEED DO SWITCHING - PODER MÉDIO, TIPO DO USO NON-INSULATED DO INVERSOR, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 528 | CR12AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 529 | CR12AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 530 | CR12AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 531 | CR12BM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 532 | CR20EY | TIRISTOR HIGH-SPEED DO SWITCHING - PODER MÉDIO, TIPO DO USO NON-INSULATED DO INVERSOR, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 533 | CR20F | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 534 | CR2AM | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 535 | CR2AM-8A | TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION DO USO BAIXO DO PODER | Mitsubishi Electric Corporation |
| 536 | CR3AMZ | TIRISTOR HIGH-SPEED DO SWITCHING - PODER BAIXO, TIPO DO USO NON-INSULATED DO ESTROBOSCÓPIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 537 | CR3EM | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 538 | CR3JM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 539 | CR3JM | TIRISTOR HIGH-SPEED DO SWITCHING - PODER BAIXO, TIPO DO USO NON-INSULATED DO ESTROBOSCÓPIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 540 | CR3PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) USO BAIXO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 541 | CR3PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 542 | CR3PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 543 | CR5AS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 544 | CR5AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 545 | CR5AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 546 | CR6CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 547 | CR6CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 548 | CR6CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 549 | CR6PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 550 | CR6PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 551 | CR6PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 552 | CR8AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 553 | CR8AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 554 | CR8AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 555 | CR8PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 556 | CR8PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 557 | CR8PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 558 | CT15SM-24 | MITSUBISHI ISOLOU O USO GERAL DO INVERSOR?PS DO TRANSISTOR BIPOLAR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 559 | CT20AS-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 560 | CT20ASJ-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 561 | CT20ASL-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 562 | CT20TM-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 563 | CT20VM-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 564 | CT20VML-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 565 | CT20VS-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 566 | CT20VSL-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 567 | CT25AS-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 568 | CT25ASJ-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 569 | CT30SM-1 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 570 | CT30SM-12 | MITSUBISHI ISOLOU O USO GERAL DO INVERSOR?PS DO TRANSISTOR BIPOLAR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 571 | CT30TM-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 572 | CT30VM-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 573 | CT30VS-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 574 | CT35SM-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 575 | CT40TMH-8 | MITSUBISHI ISOLOU O USO BIPOLAR DO PISCA-PISCA DO ESTROBOSCÓPIO DO TRANSISTOR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 576 | CT60AM-18B | MITSUBISHI ISOLOU O USO RESONANT DO INVERSOR DO TRANSISTOR BIPOLAR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 577 | CT60AM-18B | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 578 | CT60AM-18F | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 579 | CT75AM-12 | MITSUBISHI ISOLOU O USO GERAL DO INVERSOR?PS DO TRANSISTOR BIPOLAR DA PORTA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 580 | CT90AM-18 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 581 | CY20AAJ-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 582 | CY20AAJ-8F | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 583 | CY25AAJ-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 584 | CY25AAJ-8F | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 585 | DN1811 | Lsi para multiplexing de 16 CH | Mitsubishi Electric Corporation |
| 586 | E602204_HD64413A | Lsi periférico do motor de SuperH RISC | Mitsubishi Electric Corporation |
| 587 | E702196_SH7750 | Emulador Do Sistema SH7750 E10A Do Ambiente Do Desenvolvimento Do Microcomputer De Hitachi | Mitsubishi Electric Corporation |
| 588 | FA01215 | IC do HÍBRIDO do Fet Do GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 589 | FA01219A | IC do HÍBRIDO do Fet Do GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 590 | FA01220A | IC do HÍBRIDO do Fet Do GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 591 | FA01384 | IC do HÍBRIDO do Fet Do GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 592 | FAO1384 | IC do HÍBRIDO do Fet Do GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 593 | FD1000FH-56 | DIODOS DE RETIFICADOR PODER ELEVADO DE MITSUBISHI HIGH-FREQUENCY, ALTA FREQÜÊNCIA, TIPO DO BLOCO DE IMPRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 594 | FD1000FV-90 | DIODOS DE RETIFICADOR PODER ELEVADO DE MITSUBISHI HIGH-FREQUENCY, ALTA FREQÜÊNCIA, TIPO DO BLOCO DE IMPRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 595 | FD1000FX-90 | DIODOS DE RETIFICADOR PODER ELEVADO DE MITSUBISHI HIGH-FREQUENCY, ALTA FREQÜÊNCIA, TIPO DO BLOCO DE IMPRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 596 | FD1500AU-240 | Tiristor de alta tensão, de alta potência, de uso geral, portão dinâmico, pressione tipo de embalagem | Mitsubishi Electric Corporation |
| 597 | FD1500AV-90 | DIODOS DE RETIFICADOR PODER ELEVADO DE MITSUBISHI HIGH-FREQUENCY, ALTA FREQÜÊNCIA, TIPO DO BLOCO DE IMPRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 598 | FD1500BV-90DA | Diodos Macios Da Recuperação | Mitsubishi Electric Corporation |
| 599 | FD1500BV-90DA | PODER ELEVADO, ALTA FREQÜÊNCIA, TIPO DO BLOCO DE IMPRENSA | Mitsubishi Electric Corporation |
| 600 | FD2000BV-90DA | Portão turn-off tiristor em alta potência uso inversor tipo de imprensa pacote | Mitsubishi Electric Corporation |
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