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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM com PLL & registo baseado em 128Mx4 empilhado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs com presença de série Detec do SPDSamsung Electronic
2128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM com PLL & registo baseado em 128Mx4 empilhado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs com a folha de dados do SPDSamsung Electronic
3128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM com PLL & registo baseado em 128Mx4 empilhado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs com a folha de dados do SPDSamsung Electronic
416L102DA4MÓDULO DE EXPOSIÇÃO FLUORESCENTE DO VÁCUOSamsung Electronic
516T202DA1JMÓDULO DE EXPOSIÇÃO FLUORESCENTE DO VÁCUOSamsung Electronic
620S207DA4MÓDULO DE EXPOSIÇÃO FLUORESCENTE DO VÁCUOSamsung Electronic
7256MBDDRSDRAMDDRSDRAMSpecificationVersion0.3Samsung Electronic
82N3903transistor epitaxial do silicone do npnSamsung Electronic
92N3905TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
102N4123TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
112N4124TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
122N4125TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
132N4126TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
142N5086TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
152N5089TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
162N5210TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
172N5400TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
182N5401TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
192N5550TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
202N6427TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DARLINGTON DE NPNSamsung Electronic
212N6428TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
222N6428ATRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
232N6516TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
242N6517TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
252N6518TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
262N6519TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
272N6520TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
2862256RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 32Kx8Samsung Electronic
29B772PNP (SWITCHING BAIXO DA VELOCIDADE DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO)Samsung Electronic
30BCW30TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
31BCW32TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
32BCW33TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
33BCW60ATRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
34BCW60BTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
35BCW60CTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
36BCW60DTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
37BCW61ATRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
38BCW61BTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
39BCW61CTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
40BCW61DTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
41BCW69TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
42BCW70TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
43BCW71TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
44BCW72TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
45BCX70GTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
46BCX70HTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
47BCX70JTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
48BCX70KTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
49BCX71GTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
50BCX71HTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
51BCX71JTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
52BCX71KTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPSamsung Electronic
53BL8531H12 Bocado 10MSPS CADSamsung Electronic
54BL8531H-ADC12 Bocado 10MSPS CADSamsung Electronic
55BU406400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic
56BU406H400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic
57BU407TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
58BU407H330 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic



59BU408400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic
60BU806400 V, 8 A, silício epitaxial transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
61BU807400 V, 8 A, silício epitaxial transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
62C9658MICROCONTROLADORSamsung Electronic
63CL10B224Capacitor Cerâmico MultilayerSamsung Electronic
64CL21C220Capacitor Cerâmico MultilayerSamsung Electronic
65CM-1429Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
66CM-1829Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
67CM14198-2 Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
68CM14298-2 Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
69CM18198-2 Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
70CM18298-2 Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
71CM1829-1429Diagrama De Circuito do PWBSamsung Electronic
72CMOS DRAMModalidade do EDO, diagrama cronometrando do dispositivo x4 e x8Samsung Electronic
73CMOS SDRAMOperações Do Dispositivo do Cmos SDRAMSamsung Electronic
74CW5322XSDH104Samsung Electronic
75DA22497EXTREMIDADE DIANTEIRA DE FMSamsung Electronic
76DA22497DEXTREMIDADE DIANTEIRA DE FMSamsung Electronic
77DDRSDRAMVersão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
78DDRSDRAM1111Versão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
79DIRECT RDRAMRDRAM Direto. Operação Do DispositivoSamsung Electronic
80DS_K1S161611Amemória de acesso aleatório do Uni-Transistor do bocado 1Mx16Samsung Electronic
81DS_K1S16161CAmemória de acesso aleatório do Uni-Transistor da modalidade da página do bocado 1Mx16Samsung Electronic
82DS_K4D263238Do 1M x 32Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionaisSamsung Electronic
83DS_K4S161622D1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
84DS_K4S161622E1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
85DS_K6F1016U4CRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 64Kx16 e da baixa tensãoSamsung Electronic
86DS_K6F2008U2ERAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 256Kx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
87DS_K6F2016U4ERAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 128K x16 e da baixa tensãoSamsung Electronic
88DS_K6F3216T6MRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado x16 de 2M e da baixa tensãoSamsung Electronic
89DS_K6F4016U6GRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 256Kx16 e da baixa tensãoSamsung Electronic
90DS_K6F8016U6BRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 512K x16 e da baixa tensãoSamsung Electronic
91DS_K6F8016U6CRAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 512K x16 e da baixa tensãoSamsung Electronic
92DS_K6X8008C2BRAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 1Mx8 e da baixa tensãoSamsung Electronic
93DS_K6X8008TBNCMOS SRAMSamsung Electronic
94DS_K6X8016C3B64Kx36 & 64Kx32-Bit Estouro Pipelined Synchronous SRAMSamsung Electronic
95DS_K7A803600B256Kx36Samsung Electronic
96DS_K7B803625B256Kx36 & 512Kx18-Bit Estouro Synchronous SRAMSamsung Electronic
97DS_K7M323625M1Mx36 & 2Mx18 Flu-Através De NtRAMSamsung Electronic
98DS_K7M803625B256Kx36 & 512Kx18-Bit Correm através De NtRAMSamsung Electronic
99DS_K7N163601A512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAMSamsung Electronic
100DS_K7N323601M1Mx36 & 2Mx18-Bit Pipelined NtRAMSamsung Electronic

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