Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
3601 | K6X1008T2D-GQ85 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3602 | K6X1008T2D-PB55 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3603 | K6X1008T2D-PB70 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3604 | K6X1008T2D-PB85 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3605 | K6X1008T2D-PF55 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3606 | K6X1008T2D-PF70 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3607 | K6X1008T2D-PF85 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3608 | K6X1008T2D-Q | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3609 | K6X1008T2D-TB55 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3610 | K6X1008T2D-TB70 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3611 | K6X1008T2D-TB85 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3612 | K6X1008T2D-TF55 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3613 | K6X1008T2D-TF70 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3614 | K6X1008T2D-TF85 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3615 | K6X1008T2D-TQ70 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3616 | K6X1008T2D-TQ85 | RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8 | Samsung Electronic |
3617 | K6X4008C1F | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3618 | K6X4008C1F-B | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3619 | K6X4008C1F-BB55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3620 | K6X4008C1F-BB70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3621 | K6X4008C1F-BF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3622 | K6X4008C1F-BF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3623 | K6X4008C1F-DB55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3624 | K6X4008C1F-DB70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3625 | K6X4008C1F-DF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3626 | K6X4008C1F-DF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3627 | K6X4008C1F-F | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3628 | K6X4008C1F-GB55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3629 | K6X4008C1F-GB70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3630 | K6X4008C1F-GF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3631 | K6X4008C1F-GF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3632 | K6X4008C1F-GQ55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3633 | K6X4008C1F-GQ70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3634 | K6X4008C1F-MB55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3635 | K6X4008C1F-MB70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3636 | K6X4008C1F-MF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3637 | K6X4008C1F-MF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3638 | K6X4008C1F-Q | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3639 | K6X4008C1F-VB55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3640 | K6X4008C1F-VB70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3641 | K6X4008C1F-VF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3642 | K6X4008C1F-VF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3643 | K6X4008C1F-VQ55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3644 | K6X4008C1F-VQ70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 | Samsung Electronic |
3645 | K6X4008T1F | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3646 | K6X4008T1F-B | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3647 | K6X4008T1F-F | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3648 | K6X4008T1F-GB55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3649 | K6X4008T1F-GB70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3650 | K6X4008T1F-GB85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3651 | K6X4008T1F-GF55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3652 | K6X4008T1F-GF70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3653 | K6X4008T1F-GF85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3654 | K6X4008T1F-GQ70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3655 | K6X4008T1F-GQ85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3656 | K6X4008T1F-MB55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3657 | K6X4008T1F-MB70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3658 | K6X4008T1F-MB85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3659 | K6X4008T1F-MF55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3660 | K6X4008T1F-MF70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3661 | K6X4008T1F-MF85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3662 | K6X4008T1F-Q | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3663 | K6X4008T1F-VB55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3664 | K6X4008T1F-VB70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3665 | K6X4008T1F-VB85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3666 | K6X4008T1F-VF55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3667 | K6X4008T1F-VF70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3668 | K6X4008T1F-VF85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3669 | K6X4008T1F-VQ70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3670 | K6X4008T1F-VQ85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3671 | K6X4008T1F-YB55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3672 | K6X4008T1F-YB70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3673 | K6X4008T1F-YB85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3674 | K6X4008T1F-YF55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3675 | K6X4008T1F-YF70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3676 | K6X4008T1F-YF85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3677 | K6X4008T1F-YQ70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3678 | K6X4008T1F-YQ85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 512Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3679 | K6X4016C3F | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3680 | K6X4016C3F-B | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3681 | K6X4016C3F-F | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3682 | K6X4016C3F-Q | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3683 | K6X4016C3F-TB55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3684 | K6X4016C3F-TB70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3685 | K6X4016C3F-TF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3686 | K6X4016C3F-TF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3687 | K6X4016C3F-TQ55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3688 | K6X4016C3F-TQ70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 | Samsung Electronic |
3689 | K6X4016T3F | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3690 | K6X4016T3F-B | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3691 | K6X4016T3F-F | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3692 | K6X4016T3F-Q | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3693 | K6X4016T3F-TB55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3694 | K6X4016T3F-TB70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3695 | K6X4016T3F-TB85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3696 | K6X4016T3F-TF55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3697 | K6X4016T3F-TF70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3698 | K6X4016T3F-TF85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3699 | K6X4016T3F-TQ70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
3700 | K6X4016T3F-TQ85 | RAM da estática do CMOS do poder baixo do bocado 256Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
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