Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
5701 | KM4164B-12 | 64K X 1 RAM DINÂMICA Do BOCADO COM MODALIDADE Da PÁGINA | Samsung Electronic |
5702 | KM4164B-15 | 64K X 1 RAM DINÂMICA Do BOCADO COM MODALIDADE Da PÁGINA | Samsung Electronic |
5703 | KM416C1000B | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
5704 | KM416C1000BJ-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5705 | KM416C1000BJ-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5706 | KM416C1000BJ-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5707 | KM416C1000BJL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5708 | KM416C1000BJL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5709 | KM416C1000BJL-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5710 | KM416C1000BT-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5711 | KM416C1000BT-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5712 | KM416C1000BT-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5713 | KM416C1000BTL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5714 | KM416C1000BTL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5715 | KM416C1000BTL-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5716 | KM416C1000C | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
5717 | KM416C1000CJ-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5718 | KM416C1000CJ-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5719 | KM416C1000CJL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5720 | KM416C1000CJL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5721 | KM416C1000CT-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5722 | KM416C1000CT-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5723 | KM416C1000CTL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5724 | KM416C1000CTL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5725 | KM416C1004BJ-45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5726 | KM416C1004BJ-5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5727 | KM416C1004BJ-6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5728 | KM416C1004BJ-7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5729 | KM416C1004BJ-L45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5730 | KM416C1004BJ-L5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5731 | KM416C1004BJ-L6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5732 | KM416C1004BJ-L7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5733 | KM416C1004BT-45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5734 | KM416C1004BT-5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5735 | KM416C1004BT-6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5736 | KM416C1004BT-7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5737 | KM416C1004BT-L45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5738 | KM416C1004BT-L5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5739 | KM416C1004BT-L6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5740 | KM416C1004BT-L7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5741 | KM416C1004C | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
5742 | KM416C1004CJ-45 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, atualize período = 64ms | Samsung Electronic |
5743 | KM416C1004CJ-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 5.0V, atualize período = 64ms | Samsung Electronic |
5744 | KM416C1004CJ-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 5.0V, atualize período = 64ms | Samsung Electronic |
5745 | KM416C1004CJ-L45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5746 | KM416C1004CJ-L5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5747 | KM416C1004CJ-L6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5748 | KM416C1004CJL-45 | 1M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, auto-atualização | Samsung Electronic |
5749 | KM416C1004CJL-5 | 1M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 5.0V, auto-atualização | Samsung Electronic |
5750 | KM416C1004CJL-6 | 1M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 5.0V, auto-atualização | Samsung Electronic |
5751 | KM416C1004CT-45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5752 | KM416C1004CT-5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5753 | KM416C1004CT-6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5754 | KM416C1004CT-L45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5755 | KM416C1004CT-L5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5756 | KM416C1004CT-L6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5757 | KM416C1004CTL-45 | 1M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, auto-atualização | Samsung Electronic |
5758 | KM416C1004CTL-5 | 1M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 5.0V, auto-atualização | Samsung Electronic |
5759 | KM416C1004CTL-6 | 1M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 5.0V, auto-atualização | Samsung Electronic |
5760 | KM416C1200B | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
5761 | KM416C1200BJ-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5762 | KM416C1200BJ-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5763 | KM416C1200BJ-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5764 | KM416C1200BJL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5765 | KM416C1200BJL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5766 | KM416C1200BJL-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5767 | KM416C1200BT-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5768 | KM416C1200BT-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5769 | KM416C1200BT-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5770 | KM416C1200BTL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5771 | KM416C1200BTL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5772 | KM416C1200BTL-7 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
5773 | KM416C1200C | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
5774 | KM416C1200CJ-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5775 | KM416C1200CJ-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5776 | KM416C1200CJL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5777 | KM416C1200CJL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5778 | KM416C1200CT-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5779 | KM416C1200CT-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5780 | KM416C1200CTL-5 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
5781 | KM416C1200CTL-6 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
5782 | KM416C1204BJ-45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5783 | KM416C1204BJ-5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5784 | KM416C1204BJ-6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5785 | KM416C1204BJ-7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5786 | KM416C1204BJ-L45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5787 | KM416C1204BJ-L5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5788 | KM416C1204BJ-L6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5789 | KM416C1204BJ-L7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5790 | KM416C1204BT-45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5791 | KM416C1204BT-5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5792 | KM416C1204BT-6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5793 | KM416C1204BT-7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5794 | KM416C1204BT-L45 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
5795 | KM416C1204BT-L5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
5796 | KM416C1204BT-L6 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
5797 | KM416C1204BT-L7 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70ns | Samsung Electronic |
5798 | KM416C1204C | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
5799 | KM416C1204CJ-45 | 1M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, atualize período = 16ms | Samsung Electronic |
5800 | KM416C1204CJ-5 | 5V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
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