|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



As folhas de dados encontraram :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versión española para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
5701KM4164B-1264K X 1 RAM DINÂMICA Do BOCADO COM MODALIDADE Da PÁGINASamsung Electronic
5702KM4164B-1564K X 1 RAM DINÂMICA Do BOCADO COM MODALIDADE Da PÁGINASamsung Electronic
5703KM416C1000BRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
5704KM416C1000BJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5705KM416C1000BJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5706KM416C1000BJ-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5707KM416C1000BJL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5708KM416C1000BJL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5709KM416C1000BJL-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5710KM416C1000BT-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5711KM416C1000BT-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5712KM416C1000BT-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5713KM416C1000BTL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5714KM416C1000BTL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5715KM416C1000BTL-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5716KM416C1000CRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
5717KM416C1000CJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5718KM416C1000CJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5719KM416C1000CJL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5720KM416C1000CJL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5721KM416C1000CT-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5722KM416C1000CT-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5723KM416C1000CTL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5724KM416C1000CTL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5725KM416C1004BJ-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5726KM416C1004BJ-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5727KM416C1004BJ-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5728KM416C1004BJ-75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5729KM416C1004BJ-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5730KM416C1004BJ-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5731KM416C1004BJ-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5732KM416C1004BJ-L75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5733KM416C1004BT-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5734KM416C1004BT-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5735KM416C1004BT-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5736KM416C1004BT-75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5737KM416C1004BT-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5738KM416C1004BT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5739KM416C1004BT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5740KM416C1004BT-L75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5741KM416C1004CRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
5742KM416C1004CJ-451M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, atualize período = 64msSamsung Electronic
5743KM416C1004CJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 5.0V, atualize período = 64msSamsung Electronic
5744KM416C1004CJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 5.0V, atualize período = 64msSamsung Electronic
5745KM416C1004CJ-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5746KM416C1004CJ-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5747KM416C1004CJ-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5748KM416C1004CJL-451M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
5749KM416C1004CJL-51M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 5.0V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
5750KM416C1004CJL-61M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 5.0V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
5751KM416C1004CT-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5752KM416C1004CT-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5753KM416C1004CT-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5754KM416C1004CT-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5755KM416C1004CT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5756KM416C1004CT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5757KM416C1004CTL-451M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic



5758KM416C1004CTL-51M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 5.0V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
5759KM416C1004CTL-61M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 5.0V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
5760KM416C1200BRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
5761KM416C1200BJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5762KM416C1200BJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5763KM416C1200BJ-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5764KM416C1200BJL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5765KM416C1200BJL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5766KM416C1200BJL-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5767KM416C1200BT-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5768KM416C1200BT-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5769KM416C1200BT-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5770KM416C1200BTL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5771KM416C1200BTL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5772KM416C1200BTL-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5773KM416C1200CRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
5774KM416C1200CJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5775KM416C1200CJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5776KM416C1200CJL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5777KM416C1200CJL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5778KM416C1200CT-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5779KM416C1200CT-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5780KM416C1200CTL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5781KM416C1200CTL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5782KM416C1204BJ-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5783KM416C1204BJ-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5784KM416C1204BJ-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5785KM416C1204BJ-75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5786KM416C1204BJ-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5787KM416C1204BJ-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5788KM416C1204BJ-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5789KM416C1204BJ-L75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5790KM416C1204BT-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5791KM416C1204BT-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5792KM416C1204BT-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5793KM416C1204BT-75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5794KM416C1204BT-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
5795KM416C1204BT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5796KM416C1204BT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5797KM416C1204BT-L75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5798KM416C1204CRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
5799KM416C1204CJ-451M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 5.0V, atualize período = 16msSamsung Electronic
5800KM416C1204CJ-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/pt/samsungelectronic/1/