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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
5901KM416RD8AC-RK70256K x 16 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
5902KM416RD8AC-RK80256K x 16 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5903KM416RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
5904KM416RD8AD-RG60256K x 16 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 53,3 ns, velocidade: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
5905KM416RD8AD-RK70256K x 16 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
5906KM416RD8AD-RK80256K x 16 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5907KM416RD8ASRDRAM DiretoSamsung Electronic
5908KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTM para o pacote do consumidorSamsung Electronic
5909KM416RD8AS-RM80256K x 16 x 32s bancos dependentes para pacote consumidor. Tempo de acesso: 40 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5910KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos 2*16 dependentes do bocado x dirigem RDRAMTM para o pacote do consumidorSamsung Electronic
5911KM416RD8AS-SM80256K x 16 x 32s bancos dependentes para pacote consumidor. Tempo de acesso: 40 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5912KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
5913KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTMSamsung Electronic
5914KM416S4030C1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5915KM416S4030CT-F101M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5916KM416S4030CT-F71M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5917KM416S4030CT-F81M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5918KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5919KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5920KM416S4030CT-G1M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5921KM416S4030CT-G764Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 143MHzSamsung Electronic
5922KM416S4030CT-G864Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 125MHzSamsung Electronic
5923KM416S4030CT-GH64Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 100MHzSamsung Electronic
5924KM416S4030CT-GL64Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 100MHzSamsung Electronic
5925KM416S4030CT-L1064Mbit (1M x 16bit x 4 Banks) bynchronous LVTTL DRAMA, 100MHzSamsung Electronic
5926KM416S80302M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5927KM416S8030B2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5928KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5929KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5930KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5931KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5932KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
5933KM416S8030T-G/F102M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5934KM416S8030T-G/F82M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5935KM416S8030T-G/FH2M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5936KM416S8030T-G/FL2M x 16Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
5937KM416V1000BRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
5938KM416V1000BJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5939KM416V1000BJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5940KM416V1000BJ-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5941KM416V1000BJL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5942KM416V1000BJL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5943KM416V1000BJL-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5944KM416V1000BT-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5945KM416V1000BT-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5946KM416V1000BT-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5947KM416V1000BTL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5948KM416V1000BTL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5949KM416V1000BTL-71M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5950KM416V1000CRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
5951KM416V1000CJ-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5952KM416V1000CJ-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5953KM416V1000CJL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5954KM416V1000CJL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5955KM416V1000CT-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5956KM416V1000CT-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5957KM416V1000CTL-51M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic



5958KM416V1000CTL-61M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5959KM416V1004A1M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5960KM416V1004A-61M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5961KM416V1004A-71M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5962KM416V1004A-81M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5963KM416V1004A-F61M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5964KM416V1004A-F71M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5965KM416V1004A-F81M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5966KM416V1004A-L61M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5967KM416V1004A-L71M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5968KM416V1004A-L81M x RAM DINÂMICA do CMOS de 16 BOCADOS COM DADOS PROLONGADOS PARA FORASamsung Electronic
5969KM416V1004AJ-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5970KM416V1004AJ-73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5971KM416V1004AJ-83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5972KM416V1004AJ-F63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5973KM416V1004AJ-F73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5974KM416V1004AJ-F83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5975KM416V1004AJ-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5976KM416V1004AJ-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5977KM416V1004AJ-L83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5978KM416V1004AR-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5979KM416V1004AR-73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5980KM416V1004AR-83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5981KM416V1004AR-F63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5982KM416V1004AR-F73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5983KM416V1004AR-F83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5984KM416V1004AR-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5985KM416V1004AR-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5986KM416V1004AR-L83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5987KM416V1004AT-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5988KM416V1004AT-73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5989KM416V1004AT-83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5990KM416V1004AT-F63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5991KM416V1004AT-F73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5992KM416V1004AT-F83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5993KM416V1004AT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5994KM416V1004AT-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5995KM416V1004AT-L83.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 80nsSamsung Electronic
5996KM416V1004BJ-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
5997KM416V1004BJ-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
5998KM416V1004BJ-73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
5999KM416V1004BJ-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
6000KM416V1004BJ-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic

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