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Nr.Nome da parteDescriēćoFabricante
601K4E171611D-T1m x 16 bit RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensćo de alimentaēćo, 4K ciclo de atualizaēćo.Samsung Electronic
602K4E171612DRAM dināmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
603K4E171612D-J1m x 16 bit RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensćo de alimentaēćo, 4K ciclo de atualizaēćo.Samsung Electronic
604K4E171612D-T1m x 16 bit RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensćo de alimentaēćo, 4K ciclo de atualizaēćo.Samsung Electronic
605K4E640412DRAM dināmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
606K4E640412D-JC_L16M x 4 bits de RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
607K4E640412D-TC_L16M x 4 bits de RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
608K4E640812BRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
609K4E640812B-JC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
610K4E640812B-JC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
611K4E640812B-JC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
612K4E640812B-JCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
613K4E640812B-JCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
614K4E640812B-JCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
615K4E640812B-TC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
616K4E640812B-TC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
617K4E640812B-TC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
618K4E640812B-TCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
619K4E640812B-TCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
620K4E640812B-TCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
621K4E640812CRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
622K4E640812C-JC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
623K4E640812C-JC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
624K4E640812C-JC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
625K4E640812C-JCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
626K4E640812C-JCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
627K4E640812C-JCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
628K4E640812C-TC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
629K4E640812C-TC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
630K4E640812C-TC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
631K4E640812C-TCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
632K4E640812C-TCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
633K4E640812C-TCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
634K4E640812ERAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
635K4E640812E-JC/LRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
636K4E640812E-TC/LRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
637K4E641612BRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
638K4E641612B-LRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
639K4E641612B-TCRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
640K4E641612B-TC45RAM dināmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentaēćo 3.3V, 45nsSamsung Electronic
641K4E641612B-TC50RAM dināmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentaēćo 3.3V, 50nsSamsung Electronic
642K4E641612B-TC60RAM dināmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentaēćo 3.3V, 60nsSamsung Electronic
643K4E641612B-TL45RAM dināmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentaēćo 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
644K4E641612B-TL50RAM dināmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentaēćo 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
645K4E641612B-TL60RAM dināmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentaēćo 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
646K4E641612CRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
647K4E641612C-45RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
648K4E641612C-50RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
649K4E641612C-60RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
650K4E641612C-LRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
651K4E641612C-TRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
652K4E641612C-T45RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
653K4E641612C-T50RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
654K4E641612C-T60RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
655K4E641612C-TCRAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
656K4E641612C-TC45RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
657K4E641612C-TC50RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic



658K4E641612C-TC60RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
659K4E641612C-TL45RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
660K4E641612C-TL50RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
661K4E641612C-TL60RAM dināmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
662K4E641612DDRAM DO CMOSSamsung Electronic
663K4E660411D, K4E640411DRAM dināmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
664K4E660412DRAM dināmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
665K4E660412D, K4E640412DRAM dināmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
666K4E660412D, K4E640412DRAM dināmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
667K4E660412D-JC_L16M x 4 bits de RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
668K4E660412D-TC_L16M x 4 bits de RAM dināmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
669K4E660412E, K4E640412ERAM dināmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
670K4E660412E, K4E640412ERAM dināmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
671K4E660811D, K4E640811DRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
672K4E660812BRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
673K4E660812B-JC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
674K4E660812B-JC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
675K4E660812B-JC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
676K4E660812B-JCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
677K4E660812B-JCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
678K4E660812B-JCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
679K4E660812B-TC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
680K4E660812B-TC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
681K4E660812B-TC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
682K4E660812B-TCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
683K4E660812B-TCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
684K4E660812B-TCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
685K4E660812CRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
686K4E660812C-JC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
687K4E660812C-JC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
688K4E660812C-JC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
689K4E660812C-JCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
690K4E660812C-JCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
691K4E660812C-JCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
692K4E660812C-TC-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
693K4E660812C-TC-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
694K4E660812C-TC-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
695K4E660812C-TCL-45RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
696K4E660812C-TCL-5RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
697K4E660812C-TCL-6RAM dināmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
698K4E660812D, K4E640812DRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
699K4E660812D, K4E640812DRAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
700K4E660812ERAM dināmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic

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