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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
701K4E660812E, K4E640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
702K4E660812E, K4E640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
703K4E660812E-JC/LRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
704K4E660812E-TC/LRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
705K4E661611D, K4E641611DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
706K4E661612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
707K4E661612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
708K4E661612B-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
709K4E661612B-TC45RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
710K4E661612B-TC50RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
711K4E661612B-TC60RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
712K4E661612B-TL45RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
713K4E661612B-TL50RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
714K4E661612B-TL60RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
715K4E661612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
716K4E661612C-45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
717K4E661612C-50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
718K4E661612C-60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
719K4E661612C-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
720K4E661612C-L45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
721K4E661612C-L50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
722K4E661612C-L60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
723K4E661612C-TRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
724K4E661612C-T45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
725K4E661612C-T50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
726K4E661612C-T60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
727K4E661612C-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
728K4E661612C-TC45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
729K4E661612C-TC50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
730K4E661612C-TC60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
731K4E661612C-TL45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
732K4E661612C-TL50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
733K4E661612C-TL60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
734K4E661612DDRAM DO CMOSSamsung Electronic
735K4E661612D, K4E641612DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
736K4E661612D, K4E641612DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
737K4E661612E, K4E641612ERAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
738K4E661612E, K4E641612ERAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
739K4F151611RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
740K4F151611DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
741K4F151611D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
742K4F151611D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
743K4F151612DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
744K4F151612D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
745K4F151612D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
746K4F16(7)0811(2)DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
747K4F160411C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
748K4F160411C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
749K4F160411C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
750K4F160411C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
751K4F160411DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
752K4F160411D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
753K4F160411D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
754K4F160412C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
755K4F160412C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
756K4F160412C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
757K4F160412C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic



758K4F160412DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
759K4F160412D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
760K4F160412D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
761K4F160811DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
762K4F160811D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
763K4F160811D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
764K4F160812DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
765K4F160812D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
766K4F160812D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
767K4F170411C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
768K4F170411C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
769K4F170411C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
770K4F170411C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
771K4F170411DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
772K4F170411D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
773K4F170411D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
774K4F170412C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
775K4F170412C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
776K4F170412C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
777K4F170412C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
778K4F170412DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
779K4F170412D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
780K4F170412D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
781K4F170811DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
782K4F170811D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
783K4F170811D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
784K4F170812DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
785K4F170812D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
786K4F170812D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
787K4F171611DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
788K4F171611D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
789K4F171611D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
790K4F171612DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
791K4F171612D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
792K4F171612D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
793K4F640412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com modalidade rápidada páginaSamsung Electronic
794K4F640412D-JC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
795K4F640412D-TC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
796K4F640811BRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
797K4F640811B-JC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
798K4F640811B-JC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
799K4F640811B-JC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
800K4F640811B-TC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic

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