| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 6001 | Q62702-D980 | Diodos de Schottky do silicone (os diodos general-purpose para o switching de alta velocidade circuitam a tensão da proteção que aperta) | Siemens |
| 6002 | Q62702-D99 | TRANSISTOR DO SILICONE DARLINGTON DE PNP | Siemens |
| 6003 | Q62702-F102 | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para tuners Tevê-sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 6004 | Q62702-F1020 | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para aplicações do VHF, especial para a entrada e os estágios do misturador com uma escala ajustando larga, por exemplo em tuners de CATV) | Siemens |
| 6005 | Q62702-F1021 | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para estágios da entrada na figura baixa do ruído da transcondutância elevada DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA dos tuners da tevê) | Siemens |
| 6006 | Q62702-F1024 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriado para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6007 | Q62702-F1042 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações small-signal gerais do RF até 300 megahertz em circuitos do amplificador, do misturador e do oscilador) | Siemens |
| 6008 | Q62702-F1049 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-noise até 2GHz e aplicações análogas e digitais broadband) | Siemens |
| 6009 | Q62702-F1050 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até 2GHz e interruptores não-saturados rápidos em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 20 miliampères) | Siemens |
| 6010 | Q62702-F1051 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband da baixo-distorção até 1 gigahertz em correntes de coletor de 2 miliampères a 30 miliampères.) | Siemens |
| 6011 | Q62702-F1052 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriado para os estágios video da saída tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria dos jogos de tevê na alta) | Siemens |
| 6012 | Q62702-F1053 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriado para os estágios video da saída tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria dos jogos de tevê na alta) | Siemens |
| 6013 | Q62702-F1055 | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (rede integrada da supressão de encontro às oscilações spurious do VHF) | Siemens |
| 6014 | Q62702-F1056 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6015 | Q62702-F1057 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6016 | Q62702-F1058 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriado para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6017 | Q62702-F1059 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriado para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6018 | Q62702-F1062 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband até 2GHz em correntes de coletor até 20mA) | Siemens |
| 6019 | Q62702-F1063 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa até 1 gigahertz em correntes de coletor de 2mA até 20mA) | Siemens |
| 6020 | Q62702-F1064 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriado para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6021 | Q62702-F1065 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6022 | Q62702-F1066 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6023 | Q62702-F1086 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain na corrente de coletor de 2mA a 30mA) | Siemens |
| 6024 | Q62702-F1088 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e) | Siemens |
| 6025 | Q62702-F109 | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 6026 | Q62702-F1104 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN (PARA LOW-NOISE, AMPLIFICADORES BROADBAND DE LOW-DISTORTION NA ANTENA E SISTEMAS DAS TELECOMUNICAÇÕES ATÉ 2GHZ) | Siemens |
| 6027 | Q62702-F1124 | Transistor do RF do silicone de NPN (para SE amplificadores em tuners Tevê-sentados e para moduladores do VCR) | Siemens |
| 6028 | Q62702-F1129 | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (o transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
| 6029 | Q62702-F1132 | Triode do MOSFET da canaleta do silicone N (para estágios de alta freqüência até 300 megahertz, preferivelmente em aplicações de FM) | Siemens |
| 6030 | Q62702-F1144 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband e osciladores da distorção baixa até 2GHz em correntes de coletor de 5 miliampères a 30 miliampères) | Siemens |
| 6031 | Q62702-F1177 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C) | Siemens |
| 6032 | Q62702-F1189 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-noise, high-gain até 2 gigahertz. Aplicações broadband lineares em correntes de coletor até 40 miliampères.) | Siemens |
| 6033 | Q62702-F1215 | Fet do GaAs (FET dual-gate do GaAs MES da N-canaleta) | Siemens |
| 6034 | Q62702-F1218 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6035 | Q62702-F1219 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6036 | Q62702-F1222 | Transistor do RF do silicone de NPN (para a aplicação em tuners Tevê-sentados) | Siemens |
| 6037 | Q62702-F1225 | Transistor do RF do silicone de NPN (para moduladores e amplificadores em tuners da tevê e do VCR) | Siemens |
| 6038 | Q62702-F1238 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6039 | Q62702-F1239 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6040 | Q62702-F1240 | Transistor do RF do silicone de NPN (apropriados para o emissor comum RF, SE capacidade baixa do collector-base dos amplificadores devido à difusão do protetor do contato) | Siemens |
| 6041 | Q62702-F1246 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6042 | Q62702-F1250 | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para amplificadores e tuners Tevê-sentados) | Siemens |
| 6043 | Q62702-F1271 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5mA a 12mA) | Siemens |
| 6044 | Q62702-F1282 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6045 | Q62702-F1287 | Transistor do RF do silicone de NPN (apropriados para o emissor comum RF, SE capacidade baixa do collector-base dos amplificadores devido à difusão do protetor do contato) | Siemens |
| 6046 | Q62702-F1291 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6047 | Q62702-F1292 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e telecomunicações) | Siemens |
| 6048 | Q62702-F1296 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2mA a 2.5mA) | Siemens |
| 6049 | Q62702-F1298 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis) | Siemens |
| 6050 | Q62702-F1303 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6051 | Q62702-F1304 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6052 | Q62702-F1305 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6053 | Q62702-F1306 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6054 | Q62702-F1309 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 6055 | Q62702-F1312 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6056 | Q62702-F1314 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 12mA) | Siemens |
| 6057 | Q62702-F1315 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6058 | Q62702-F1316 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain na corrente de coletor de 2 miliampères a 30mA) | Siemens |
| 6059 | Q62702-F1320 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e telecomunicações) | Siemens |
| 6060 | Q62702-F1321 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa na antena e nas telecomunicações) | Siemens |
| 6061 | Q62702-F1322 | Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios broadband do amplificador da saída da baixo-distorção na antena e nas telecomunicações) | Siemens |
| 6062 | Q62702-F133 | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 6063 | Q62702-F134 | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 6064 | Q62702-F1346 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa na antena e nas telecomunicações) | Siemens |
| 6065 | Q62702-F1347 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa na antena e sistemas das telecomunicações até 1.5 gigahertz em correntes de coletor) | Siemens |
| 6066 | Q62702-F135 | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 6067 | Q62702-F1359 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena) | Siemens |
| 6068 | Q62702-F137 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 6069 | Q62702-F1372 | Triode do FET do MOS da canaleta do silicone N (para o RF encena até 300 megahertz preferivelmente em aplicações de FM) | Siemens |
| 6070 | Q62702-F1377 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2 a 2.5mA) | Siemens |
| 6071 | Q62702-F1378 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis) | Siemens |
| 6072 | Q62702-F1382 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 2 miliampères a 30 miliampères) | Siemens |
| 6073 | Q62702-F1391 | GaAs MMIC (Fet Duplo Inclinado Do GaAs Da Porta) | Siemens |
| 6074 | Q62702-F1393 | Fet do GaAs (ganho elevado do ruído baixo para amplificadores low-noise da extremidade dianteira para de DBS conversores para baixo) | Siemens |
| 6075 | Q62702-F1394 | Fet do GaAs (ganho elevado do ruído baixo para amplificadores low-noise da extremidade dianteira para de DBS conversores para baixo) | Siemens |
| 6076 | Q62702-F1396 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6077 | Q62702-F1426 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN (PARA CONVERSORES DE FREQÜÊNCIA DE UHF/VHF E OSCILADORES LOCAIS) | Siemens |
| 6078 | Q62702-F1432 | Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios broadband do amplificador da saída da baixo-distorção na antena e nas telecomunicações) | Siemens |
| 6079 | Q62702-F1487 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada 12V se operando da tensão do 1GHz | Siemens |
| 6080 | Q62702-F1488 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até 2GHz e interruptores não-saturados rápidos em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 20 miliampères) | Siemens |
| 6081 | Q62702-F1489 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband e osciladores da distorção baixa até 2GHz em correntes de coletor de 5 miliampères a 30 miliampères) | Siemens |
| 6082 | Q62702-F1490 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2mA a 2.5mA) | Siemens |
| 6083 | Q62702-F1491 | Ruído baixo do)For do transistor do RF do silicone de NPN, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 12mA) | Siemens |
| 6084 | Q62702-F1492 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6085 | Q62702-F1493 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain na corrente de coletor de 2 miliampères a 30mA) | Siemens |
| 6086 | Q62702-F1494 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis | Siemens |
| 6087 | Q62702-F1498 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 6088 | Q62702-F1500 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2 a 2.5mA) | Siemens |
| 6089 | Q62702-F1501 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5mA a 12mA) | Siemens |
| 6090 | Q62702-F1502 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 6091 | Q62702-F1503 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 2 miliampères a 30 miliampères) | Siemens |
| 6092 | Q62702-F1504 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis) | Siemens |
| 6093 | Q62702-F1510 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 6094 | Q62702-F1519 | Transistor do RF do silicone de NPN (para moduladores e amplificadores em tuners da tevê e do VCR) | Siemens |
| 6095 | Q62702-F1520 | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para tuners Tevê-sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 6096 | Q62702-F1531 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis) | Siemens |
| 6097 | Q62702-F1549 | Hemt de AlGaAs/InGaAs (ganho muito elevado muito baixo do ruído para amplificadores baixos da extremidade dianteira do ruído até 20 gigahertz para de DBS conversores para baixo) | Siemens |
| 6098 | Q62702-F1559 | Hemt de AlGaAs/InGaAs (ganho muito elevado muito baixo do ruído para amplificadores baixos da extremidade dianteira do ruído até 20 gigahertz para de DBS conversores para baixo) | Siemens |
| 6099 | Q62702-F1568 | Transistor do RF do silicone de PNP (para aplicações do oscilador do VHF) | Siemens |
| 6100 | Q62702-F1571 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações broadband lineares do amplificador até o excitador do filtro da SERRA 500MHz em tuners da tevê) | Siemens |
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