Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
63701 | STFW3N170 | N-channel 1700 V, 8 Ohm tip., 2.3 A, PowerMESH (TM) MOSFET no pacote TO-3PF | ST Microelectronics |
63702 | STFW4N150 | N-channel 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) MOSFET poder na TO-3PF | ST Microelectronics |
63703 | STFW69N65M5 | N-channel 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V MOSFET no pacote TO-3PF | ST Microelectronics |
63704 | STFW6N120K3 | N-channel 1200 V, 1,95 Ohm, protegido por Zener 6 A SuperMESH3 (TM) MOSFET no pacote TO-3PF | ST Microelectronics |
63705 | STG3000X | ACCELERATOR DOS MULTIMEDIA DE 128-BIT 3D | ST Microelectronics |
63706 | STG3005A2S | ACCELERATOR DOS MULTIMEDIA DE 128-BIT 3D | ST Microelectronics |
63707 | STG3157 | A BAIXA TENSÃO BAIXA NO INTERRUPTOR DA RESISTÊNCIA SPDT COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63708 | STG3157CTR | A BAIXA TENSÃO BAIXA NO INTERRUPTOR DA RESISTÊNCIA SPDT COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63709 | STG3220 | Low Voltage High Bandwidth dupla SPDT | ST Microelectronics |
63710 | STG3220QTR | Low Voltage High Bandwidth dupla SPDT | ST Microelectronics |
63711 | STG3482 | Baixa Tensão Chave Dupla SP4T com Break-Antes-Make Feat. | ST Microelectronics |
63712 | STG3482QTR | Baixa Tensão Chave Dupla SP4T com Break-Antes-Make Feat. | ST Microelectronics |
63713 | STG3680 | O BAIXO INTERRUPTOR DUPLO MÁXIMO DA TENSÃO 5OHM SPDT COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63714 | STG3680QTR | O BAIXO INTERRUPTOR DUPLO MÁXIMO DA TENSÃO 5OHM SPDT COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63715 | STG3682 | Low Voltage High Bandwidth dupla SPDT | ST Microelectronics |
63716 | STG3682QTR | Low Voltage High Bandwidth dupla SPDT | ST Microelectronics |
63717 | STG3684 | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR DUPLO MÁXIMO DE UM SPD DE 0.5 OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63718 | STG3684A | Low Voltage 0,5 Ohm Max dupla SPDT com Break-Antes-Make Feat | ST Microelectronics |
63719 | STG3684AUTR | Low Voltage 0,5 Ohm Max dupla SPDT com Break-Antes-Make Feat | ST Microelectronics |
63720 | STG3684QTR | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR DUPLO MÁXIMO DE UM SPD DE 0.5 OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63721 | STG3685 | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR DUPLO MÁXIMO DE 0.5 OHM SPDT, ÚNICO PERMITE COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63722 | STG3685BJR | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR DUPLO MÁXIMO DE 0.5 OHM SPDT, ÚNICO PERMITE COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63723 | STG3690 | O BAIXO INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT DA TENSÃO 5OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63724 | STG3690QTR | O BAIXO INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT DA TENSÃO 5OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63725 | STG3690TTR | O BAIXO INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT DA TENSÃO 5OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63726 | STG3690TTR | O BAIXO INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT DA TENSÃO 5OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63727 | STG3692 | Low Voltage High Bandwidth Quad SPDT | ST Microelectronics |
63728 | STG3692QTR | Low Voltage High Bandwidth Quad SPDT | ST Microelectronics |
63729 | STG3693 | Low Voltage High Bandwidth Quad SPDT | ST Microelectronics |
63730 | STG3693QTR | Low Voltage High Bandwidth Quad SPDT | ST Microelectronics |
63731 | STG3696E | Baixa tensão interruptor duplo SPDT para USB / áudio de comutação de sinais | ST Microelectronics |
63732 | STG3696EQTR | Baixa tensão interruptor duplo SPDT para USB / áudio de comutação de sinais | ST Microelectronics |
63733 | STG3699 | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR MÁXIMO DO SPD DO QUAD DE 0.5 OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63734 | STG3699A | BAIXA TENSÃO 0.5? O INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63735 | STG3699A | BAIXA TENSÃO 0.5? O INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63736 | STG3699AQTR | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR MÁXIMO DO QUAD SPDT DE 0.5 OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63737 | STG3699B | Baixa tensão de 0,5 ct © max, interruptor SPDT quad com break-before-make recurso | ST Microelectronics |
63738 | STG3699BVTR | Baixa tensão de 0,5 ct © max, interruptor SPDT quad com break-before-make recurso | ST Microelectronics |
63739 | STG3699QTR | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR MÁXIMO DO SPD DO QUAD DE 0.5 OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63740 | STG3699TTR | A BAIXA TENSÃO INTERRUPTOR MÁXIMO DO SPD DO QUAD DE 0.5 OHM COM RUPTURA ANTES FAZ A CARACTERÍSTICA | ST Microelectronics |
63741 | STG3820 | Baixa tensão alta largura de banda interruptor quad DPDT | ST Microelectronics |
63742 | STG3820BJR | Baixa tensão alta largura de banda interruptor quad DPDT | ST Microelectronics |
63743 | STG3856 | Baixa tensão 1.0i © max interruptor dupla SP3T com break-before-make recurso | ST Microelectronics |
63744 | STG3856QTR | Baixa tensão 1.0i © max interruptor dupla SP3T com break-before-make recurso | ST Microelectronics |
63745 | STG4158 | Baixa tensão de 0,6 ct © typ interruptor SPDT único com recurso e 15 kV proteção ESD antes de tornar-break- | ST Microelectronics |
63746 | STG4158BJR | Baixa tensão de 0,6 ct © typ interruptor SPDT único com recurso e 15 kV proteção ESD antes de tornar-break- | ST Microelectronics |
63747 | STG4159 | Low Voltage 0,3 Ohm Max Único SPDT com Break-Antes-Make Característica e 10kV Contato Protecção ESD | ST Microelectronics |
63748 | STG4159BJR | Low Voltage 0,3 Ohm Max Único SPDT com Break-Antes-Make Característica e 10kV Contato Protecção ESD | ST Microelectronics |
63749 | STG4160 | Baixa tensão de 0,5 Ohm interruptor SPDT único com break-before-make recurso e 15 kV proteção ESD | ST Microelectronics |
63750 | STG4160BJR | Baixa tensão de 0,5 Ohm interruptor SPDT único com break-before-make recurso e 15 kV proteção ESD | ST Microelectronics |
63751 | STG4260 | Baixa tensão de 0,5 ct © interruptor duplo SPDT com break-before-make recurso e 15 kV proteção ESD | ST Microelectronics |
63752 | STG4260BJR | Baixa tensão de 0,5 ct © interruptor duplo SPDT com break-before-make recurso e 15 kV proteção ESD | ST Microelectronics |
63753 | STG5123 | Baixa tensão 1 I © interruptor SPDT único com recurso antes de tornar-break- | ST Microelectronics |
63754 | STG5123DTR | Baixa tensão 1 I © interruptor SPDT único com recurso antes de tornar-break- | ST Microelectronics |
63755 | STG5223 | Baixa tensão de 0,5 ct © interruptor duplo SPDT com break-before-make | ST Microelectronics |
63756 | STG5223QTR | Baixa tensão de 0,5 ct © interruptor duplo SPDT com break-before-make | ST Microelectronics |
63757 | STG5678 | Baixa tensão interruptor duplo SPDT com capacidade de transporte ferroviário negativo | ST Microelectronics |
63758 | STG5678BJR | Baixa tensão interruptor duplo SPDT com capacidade de transporte ferroviário negativo | ST Microelectronics |
63759 | STG5678CJR | Baixa tensão interruptor duplo SPDT com capacidade de transporte ferroviário negativo | ST Microelectronics |
63760 | STG5682 | Baixa tensão interruptor duplo SPDT com capacidade de transporte ferroviário negativo | ST Microelectronics |
63761 | STG5682QTR | Baixa tensão interruptor duplo SPDT com capacidade de transporte ferroviário negativo | ST Microelectronics |
63762 | STG719 | INTERRUPTOR DA BAIXA TENSÃO 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63763 | STG719CTR | INTERRUPTOR DA BAIXA TENSÃO 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63764 | STG719FTR | INTERRUPTOR DA BAIXA TENSÃO 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63765 | STG719FTR | INTERRUPTOR DA BAIXA TENSÃO 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63766 | STG719STR | INTERRUPTOR DA BAIXA TENSÃO 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63767 | STGAP1S | gapDRIVE: separação galvânica único driver portão | ST Microelectronics |
63768 | STGAP1STR | gapDRIVE: separação galvânica único driver portão | ST Microelectronics |
63769 | STGB10H60DF | Gate Trench IGBT campo-stop, série H 600 V, 10 A alta velocidade | ST Microelectronics |
63770 | STGB10NB37LZ | N-CHANNEL APERTOU 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63771 | STGB10NB37LZT4 | N-CHANNEL APERTOU 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63772 | STGB10NB40LZ | N-CHANNEL APERTOU 20A D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63773 | STGB10NB40LZT4 | N-CHANNEL APERTOU 20A D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63774 | STGB10NB60S | N-CHANNEL 10A 600V TO-220/TP-220FP/DPAK PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
63775 | STGB10NB60ST4 | N-CHANNEL 10A 600V TO-220/TP-220FP/DPAK PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
63776 | STGB10NC60HD | Muito rápido série "H" | ST Microelectronics |
63777 | STGB10NC60HDT4 | Muito rápido série "H" | ST Microelectronics |
63778 | STGB10NC60KD | 10 A, 600 V curto-circuito IGBT acidentada | ST Microelectronics |
63779 | STGB10NC60KDT4 | 10 A, 600 V curto-circuito IGBT acidentada | ST Microelectronics |
63780 | STGB12NB60KD | N-CHANNEL 18A - PROVA POWERMESH IGBT DO CURTO-CIRCUITO DE 600V TO-220/D2PAK | ST Microelectronics |
63781 | STGB12NB60KDT4 | N-CHANNEL 18A - PROVA POWERMESH IGBT DO CURTO-CIRCUITO DE 600V TO-220/D2PAK | ST Microelectronics |
63782 | STGB14NC60KD | 14 A, 600 V curto-circuito IGBT acidentada | ST Microelectronics |
63783 | STGB14NC60KDT4 | 14 A, 600 V curto-circuito IGBT acidentada | ST Microelectronics |
63784 | STGB15H60DF | Gate Trench IGBT campo-stop, série H 600 V, 15 A alta velocidade | ST Microelectronics |
63785 | STGB18N40LZ | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT preso internamente | ST Microelectronics |
63786 | STGB18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT preso internamente | ST Microelectronics |
63787 | STGB18N40LZT4 | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT preso internamente | ST Microelectronics |
63788 | STGB19NC60H | 19 A - 600 V - IGBT muito rápido | ST Microelectronics |
63789 | STGB19NC60HD | 19 A, 600 V, IGBT muito rápido com Ultrafast diodo | ST Microelectronics |
63790 | STGB19NC60HDT4 | 19 A, 600 V, IGBT muito rápido com Ultrafast diodo | ST Microelectronics |
63791 | STGB19NC60HT4 | 19 A - 600 V - IGBT muito rápido | ST Microelectronics |
63792 | STGB19NC60KD | curto-circuito IGBT acidentada | ST Microelectronics |
63793 | STGB19NC60KDT4 | curto-circuito IGBT acidentada | ST Microelectronics |
63794 | STGB20H60DF | 600 V, 20 A alta velocidade portão trincheira campo-stop IGBT | ST Microelectronics |
63795 | STGB20N40LZ | Automotive-grade 390 V fixada internamente IGBT ESCIS 300 mJ | ST Microelectronics |
63796 | STGB20NB32LZ | N-CHANNEL APERTOU 20A - D2PAK/I2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63797 | STGB20NB32LZ-1 | N-CHANNEL APERTOU 20A - D2PAK/I2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63798 | STGB20NB32LZT4 | N-CHANNEL APERTOU 20A - D2PAK/I2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63799 | STGB20NB37LZ | N-CHANNEL APERTOU 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
63800 | STGB20NB37LZT4 | N-CHANNEL APERTOU 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE APERTADO IGBT | ST Microelectronics |
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