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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
64101STGW45NC60VD45 A, 600 V, muito rápido IGBTST Microelectronics
64102STGW45NC60WDSérie Ultra rápido "W"ST Microelectronics
64103STGW50H60DF50 A, 600 V campo parada trincheira IGBT portão com Ultrafast diodoST Microelectronics
64104STGW50HF60S60 A, 600 V, muito baixo IGBT quedaST Microelectronics
64105STGW50HF60SD60 A, 600 V, muito baixo IGBT queda com diodo de recuperação simples e rápidoST Microelectronics
64106STGW50HF65SD60 A, 650 V, muito baixo IGBT queda com diodo de recuperação simples e rápidoST Microelectronics
64107STGW50NB60HN-CHANNEL 50A - 600V TO-247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64108STGW50NB60MN-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64109STGW50NC60WSérie Ultra rápido "W"ST Microelectronics
64110STGW60H60DLFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 600 V, 60 A alta velocidadeST Microelectronics
64111STGW60H65DF60 A, 650 V campo parada trincheira IGBT portão com diodo muito rápidoST Microelectronics
64112STGW60H65DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 60 A alta velocidadeST Microelectronics
64113STGW60H65DRF60 A, 650 V campo parada trincheira IGBT portão com Ultrafast diodoST Microelectronics
64114STGW60H65F60 A, 650 V campo portão parada trincheira IGBTST Microelectronics
64115STGW60H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 60 A alta velocidadeST Microelectronics
64116STGW60V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 60 A velocidade muito altaST Microelectronics
64117STGW60V60FGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 60 A velocidade muito altaST Microelectronics
64118STGW80H65DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 80 A alta velocidadeST Microelectronics
64119STGW80H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 80 A alta velocidadeST Microelectronics
64120STGW80V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 80 A velocidade muito altaST Microelectronics
64121STGW80V60FGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 80 A velocidade muito altaST Microelectronics
64122STGWA15M120DF3Gate Trench IGBT campo-stop, série M 1200 V, 15 A perda baixoST Microelectronics
64123STGWA19NC60HD31 A, 600 V, IGBT muito rápido com Ultrafast diodoST Microelectronics
64124STGWA25M120DF3Gate Trench IGBT campo-stop, série M 1200 V, 25 A perda baixoST Microelectronics
64125STGWA30N120KD30 A, 1200 V curto-circuito IGBT robusto com Ultrafast diodoST Microelectronics
64126STGWA35HF60WDI35 A, 600 V ultrafast IGBT com baixo diodo quedaST Microelectronics
64127STGWA40M120DF3Gate Trench IGBT campo-stop, série M 1200 V, 40 A perda baixoST Microelectronics
64128STGWA40N120KD40 A, 1200 V curto-circuito IGBT robusto com Ultrafast diodoST Microelectronics
64129STGWA60NC60WDR60 A, 600 V, IGBT ultrafastST Microelectronics
64130STGWA80H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 80 A alta velocidadeST Microelectronics
64131STGWF30NC60S30 A, 600 V, IGBT rápidoST Microelectronics
64132STGWT20H60DF600 V, 20 A alta velocidade portão trincheira campo-stop IGBTST Microelectronics
64133STGWT20H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 20 A alta velocidadeST Microelectronics
64134STGWT20IH125DF1250 V, 20 A IH portão série trincheira campo-stop IGBTST Microelectronics
64135STGWT20V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 20 A velocidade muito altaST Microelectronics
64136STGWT20V60FGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 20 A velocidade muito altaST Microelectronics
64137STGWT28IH125DF1250 V, 25 A IH portão série trincheira campo-stop IGBTST Microelectronics
64138STGWT30H60DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 600 V, 30 A alta velocidadeST Microelectronics
64139STGWT30H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 30 A alta velocidadeST Microelectronics
64140STGWT30V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 30 A velocidade muito altaST Microelectronics
64141STGWT30V60FGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 30 A velocidade muito altaST Microelectronics
64142STGWT38IH130D33 A - 1300 V - IGBT muito rápidoST Microelectronics
64143STGWT40H60DLFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 600 V, 40 A alta velocidadeST Microelectronics
64144STGWT40H65DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 40 A alta velocidadeST Microelectronics
64145STGWT40H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 40 A alta velocidadeST Microelectronics
64146STGWT40V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 40 A velocidade muito altaST Microelectronics
64147STGWT40V60DLFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 40 A velocidade muito altaST Microelectronics
64148STGWT50HF65SD60 A, 650 V, muito baixo IGBT queda com diodo de recuperação simples e rápidoST Microelectronics
64149STGWT60H60DLFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 600 V, 60 A alta velocidadeST Microelectronics
64150STGWT60H65DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 60 A alta velocidadeST Microelectronics
64151STGWT60H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 60 A alta velocidadeST Microelectronics
64152STGWT60V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 60 A velocidade muito altaST Microelectronics
64153STGWT80H65DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 80 A alta velocidadeST Microelectronics
64154STGWT80H65FBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 80 A alta velocidadeST Microelectronics
64155STGWT80V60DFGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 80 A velocidade muito altaST Microelectronics
64156STGWT80V60FGate Trench IGBT campo-stop, V série 600 V, 80 A velocidade muito altaST Microelectronics
64157STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Muito Rápido??IGBTST Microelectronics
64158STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Muito Rápido??IGBTST Microelectronics
64159STGY40NC60VDN-CHANNEL 50A - 600V MAX247 POWERMESH MUITO RÁPIDO "IGBTST Microelectronics
64160STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
64161STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
64162STGY50NB60HDN-CHANNEL 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64163STGY50NC60WDSérie Ultra rápido "W"ST Microelectronics
64164STGY80H65DFBGate Trench IGBT campo-stop, série HB 650 V, 80 A alta velocidadeST Microelectronics
64165STH10NA50FIPRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
64166STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - MOSFET DE TO-247/ISOWATT218 POWERMESHST Microelectronics
64167STH110N10F7-2N-channel 100 V, 4,9 mOhm tip., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Poder MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64168STH110N10F7-6N-channel 100 V, 4,9 mOhm tip., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Poder MOSFET em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics
64169STH12N120K5-2N-channel 1200 V, 0,58 Ohm tip., Protegido por Zener 12 A supermalha (TM) MOSFET 5 Potência em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64170STH12NA60FIPRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
64171STH130N10F3-2N-channel 100 V, 7,8 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64172STH13NB60N - CANALETA 600V - 0.48ohm - 13A - Mosfet de TO-247/ISOWATT218 PowerMESHST Microelectronics
64173STH13NB60N - CANALETA 600V - 0.48ohm - 13A - Mosfet de TO-247/ISOWATT218 PowerMESHST Microelectronics
64174STH13NB60FIN-CHANNEL 600V - 0.48 OHM - 13A - MOSFET DE TO-247/ISOWATT218 POWERMESHST Microelectronics
64175STH140N8F7-2N-canal 80 V, 3,3 mOhm tip., 90 A MOSFET STripFET F7 Poder em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64176STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0,0038 Ohm tip., 90 A MOSFET STripFET F7 Poder em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64177STH15NA50FIPRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
64178STH15NB50FITRANSISTOR MUITO BAIXO DO MOS DO PODER DA CARGA DA PORTA DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNLEST Microelectronics
64179STH16NA40FIPRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
64180STH180N10F3-2N-channel 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Poder MOSFET H2PAK-2ST Microelectronics
64181STH180N10F3-6N-channel 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III Poder MOSFETST Microelectronics
64182STH185N10F3-2Automotive-grade N-channel 100 V, 3,9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Poder MOSFET pacote H2PAK-2ST Microelectronics
64183STH18NB40MOSFET DO OHM 18.4A TO-247/ISOWATT218 POWERMESH DE N-CHANNEL 400V 0.19ST Microelectronics
64184STH18NB40FIMOSFET DO OHM 18.4A TO-247/ISOWATT218 POWERMESH DE N-CHANNEL 400V 0.19ST Microelectronics
64185STH210N75F6-2N-canal 75 V, 0,0027 Ohm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64186STH240N10F7-2N-channel 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Poder MOSFET em um pacote H2PAK-2ST Microelectronics
64187STH240N10F7-6N-channel 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Poder MOSFET em um pacote H2PAK-6ST Microelectronics
64188STH240N75F3-2N-canal 75 V, 2,6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Poder MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64189STH240N75F3-6N-canal 75 V, 2,6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Poder MOSFET em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics
64190STH245N75F3-6Automotive-grade N-canal 75 V, 2,6 mOhm tip., 180 A MOSFET STripFET F3 Poder em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics
64191STH250N55F3-6N-canal 55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Poder MOSFETST Microelectronics
64192STH260N6F6-2N-canal 60 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64193STH260N6F6-6N-canal 60 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics
64194STH270N4F3-2N-canal 40 V, 1,4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Poder MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64195STH270N4F3-6N-canal 40 V, 1,4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Poder MOSFET em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics
64196STH270N8F7-2N-canal 80 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64197STH270N8F7-6N-canal 80 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics
64198STH300NH02L-6N-canal 24 V, 0,95 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) MOSFET em um pacote H2PAK-6ST Microelectronics
64199STH310N10F7-2N-channel 100 V, 1,9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-2 pacoteST Microelectronics
64200STH310N10F7-6N-channel 100 V, 1,9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET em H2PAK-6 pacoteST Microelectronics

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