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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
10012SA505PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE PNP TYPE(PCT)TOSHIBA
10022SA510TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNPTOSHIBA
10032SA510TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNPTOSHIBA
10042SA512TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNPTOSHIBA
10052SA512TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNPTOSHIBA
10062SA562TMTipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio que comutam aplicaçõesTOSHIBA
10072SA763PNP transistor de silício para aplicações de amplificador de áudio de baixo ruídoTOSHIBA
10082SA814TIPO EPITAXIAL DO MESA DA BASE DO SILICONE PNPTOSHIBA
10092SA814TIPO EPITAXIAL DO MESA DA BASE DO SILICONE PNPTOSHIBA
10102SA815TIPO EPITAXIAL DO MESA DA BASE DO SILICONE PNPTOSHIBA
10112SA815TIPO EPITAXIAL DO MESA DA BASE DO SILICONE PNPTOSHIBA
10122SA817Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audioTOSHIBA
10132SA817ATIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA TENSÃO DAS APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE EXCITADORTOSHIBA
10142SA940ATIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT AMPLIFICADOR DE PODER E APLICAÇÕES VERTICAIS DA SAÍDA.TOSHIBA
10152SA941120V PNP transistor de silício para aplicações de amplificador de áudio de baixo ruídoTOSHIBA
10162SA94290V PNP transistor de silício para aplicações de amplificador de áudio de baixo ruídoTOSHIBA
10172SA949TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR AUDIO DE ESTÁGIO DE EXCITADOR E DO SWITCHING DA ALTA TENSÃOTOSHIBA
10182SA950Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações audio do amplificador de poderTOSHIBA
10192SA965TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO ESTÁGIO DE EXCITADOR E DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10202SA966TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10212SA968BV (CBO): 200V; V (CEO): 200V; V (EBO): 5V; 1.5A; 25W; Silicon PNP epitaxial poder transistor de silício típicoTOSHIBA
10222SA970Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador audio do ruídoTOSHIBA
10232SB1015TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO)TOSHIBA
10242SB1015ATipo Difundido Triplo Aplicações Do Silicone PNP Do Transistor Do Amplificador De Poder Da Freqüência AudioTOSHIBA
10252SB1016ATIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10262SB1018ATIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER.TOSHIBA
10272SB10207A; 30W; V (CEO): 100v; PNP Darlington transistorTOSHIBA
10282SB1020ATIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PODER) SWITCHING DE DARLINGTON DO PODER ELEVADO, MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO, APLICAÇÕES DA MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR DO PULSOTOSHIBA
10292SB10217A; 30W; V (CEO): 80V; PNP Darlington transistorTOSHIBA
10302SB10227A; 30W; V (CEO): 60V; PNP Darlington transistorTOSHIBA
10312SB10232SB1023TOSHIBA
10322SB10242SB1024TOSHIBA
10332SB10342SB1034TOSHIBA
10342SB1067TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PODER) MICRO MOVIMENTAÇÃO DE DARLINGTON DO MOTOR, APLICAÇÕES DA MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO. APLICAÇÕES DO SWITCHING, APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER.TOSHIBA
10352SB1375TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIOTOSHIBA
10362SB1381TIPO DIFUNDIDO TRIPLO SWITCHING DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO PODER ELEVADO, MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO, APLICAÇÕES DA MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR DO PULSOTOSHIBA
10372SB1411TIPO DIFUNDIDO TRIPLO SWITCHING DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR, MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO, APLICAÇÕES DA MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR DO PULSOTOSHIBA
10382SB1429TIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10392SB1457TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (DARLINGTON) MICRO MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR, MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO, SWITCHING DO PODER E APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10402SB1481TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO SWITCHINGTOSHIBA
10412SB1495TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO SWITCHING DO PODER ELEVADOTOSHIBA
10422SB1555TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (TRANSISTOR DE PODER) APLICAÇÕES DE DARLINGTON DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10432SB1556TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (TRANSISTOR DE PODER) APLICAÇÕES DE DARLINGTON DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10442SB1557TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (TRANSISTOR DE PODER) APLICAÇÕES DE DARLINGTON DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10452SB1558TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (TRANSISTOR DE PODER) APLICAÇÕES DE DARLINGTON DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10462SB1594TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (TRANSISTOR DE PODER) APLICAÇÕES DE DARLINGTON DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10472SB1602TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER.TOSHIBA
10482SB1617TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (DARLINGTON) MICRO MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR, MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO, SWITCHING DO PODER E APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODERTOSHIBA
10492SB1640TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIOTOSHIBA
10502SB1641TIPO DIFUNDIDO TRIPLO SWITCHING DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO PODER ELEVADO, MOVIMENTAÇÃO DO MARTELO, APLICAÇÕES DA MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR DO PULSO.TOSHIBA
10512SB1642TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIOTOSHIBA
10522SB1667TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO)TOSHIBA
10532SB1667(SM)TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIOTOSHIBA
10542SB434TRANSISTOR DO SILICONE PNPTOSHIBA
10552SB502ATRANSISTOR DO SILICONE PNPTOSHIBA
10562SB503ATRANSISTOR DO SILICONE PNPTOSHIBA
10572SB554Aplicações Do Amplificador De PoderTOSHIBA
10582SB6762SB676TOSHIBA
10592SB754APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SWITCHING/TOSHIBA
10602SB834Transistor de energia para aplicações de baixa frequênciaTOSHIBA



10612SB905Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador de poderTOSHIBA
10622SB906TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO DO PCT). APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIOTOSHIBA
10632SB907Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) movimentação do PCT do martelo das aplicações do switching, aplicações do amplificador de poder das aplicações da movimentação do motor do pulsoTOSHIBA
10642SB908Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) movimentação do PCT do martelo das aplicações do switching, aplicações do amplificador de poder das aplicações da movimentação do motor do pulsoTOSHIBA
10652SC1169TIPO PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPNTOSHIBA
10662SC1169TIPO PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPNTOSHIBA
10672SC1173PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
10682SC1173PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
10692SC1569Aplicações Da Saída Do Chroma da Tevê Da CorTOSHIBA
10702SC1617TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPTOSHIBA
10712SC1617TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPTOSHIBA
10722SC1624TIPO PLANAR DO SILICONE NPNTOSHIBA
10732SC1624TIPO PLANAR DO SILICONE NPNTOSHIBA
10742SC1625TIPO PLANAR DO SILICONE NPNTOSHIBA
10752SC1625TIPO PLANAR DO SILICONE NPNTOSHIBA
10762SC1627Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da tensão das aplicações do amplificador do estágio de excitadorTOSHIBA
10772SC1627ATIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE EXCITADOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA TENSÃOTOSHIBA
10782SC1678TIPO PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPNTOSHIBA
10792SC1678TIPO PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPNTOSHIBA
10802SC1815Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audioTOSHIBA
10812SC1815(L)Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do ruído das aplicações do amplificador da tensão da freqüência audioTOSHIBA
10822SC1815LTRANSISTOR (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA TENSÃO DA FREQÜÊNCIA AUDIO)TOSHIBA
10832SC1923Tipo planar epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) aplicações de alta freqüência FM do PCT do amplificador, RF, MISTURA, SE aplicações do amplificadorTOSHIBA
10842SC1959Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio que comutam aplicaçõesTOSHIBA
10852SC2036TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE TOSHIBA TRANSTSTORTOSHIBA
10862SC2036TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE TOSHIBA TRANSTSTORTOSHIBA
10872SC2068SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS)TOSHIBA
10882SC2068SILICONE NPN TYPE(PCT DIFUNDIDO TRIPLO PROCESS)TOSHIBA
10892SC2073ATIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT AMPLIFICADOR DE PODER E APLICAÇÕES VERTICAIS DA SAÍDATOSHIBA
10902SC2075PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
10912SC2075PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
10922SC2098PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPNTOSHIBA
10932SC2098PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPNTOSHIBA
10942SC2099TRANSISTOR (APLICAÇÕES LINEARES) DO AMPLIFICADOR DE PODER DE 2~30MHZ SSB (USO BAIXO DA TENSÃO DE FONTE)TOSHIBA
10952SC2120Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações audio do amplificador de poderTOSHIBA
10962SC2173Aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA Do Amplificador De Poder Da FaixaTOSHIBA
10972SC2178Aplicações Do Amplificador De Poder Da Faixa do VhfTOSHIBA
10982SC2216Tipo Planar Epitaxial Retrato Final Do Silicone NPN Do Transistor da Tevê SE Aplicações Do AmplificadorTOSHIBA
10992SC2229SAÍDA VIDEO PRETA E BRANCA do TIPO DIFUNDIDO TRIPLO do SILICONE NPN do TRANSISTOR da Tevê, Switching DE ALTA TENSÃO, Aplicações Do Amplificador Audio De Estágio De ExcitadorTOSHIBA
11002SC2230Tipo Difundido Triplo Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct APLICAÇÕES SADIAS GERAIS DE ALTA TENSÃO da SAÍDA da CLASSE B da Tevê do AMPLIFICADOR E da CORTOSHIBA

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