| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1201 | 2SC3125 | Tipo Planar Epitaxial Retrato Final Do Silicone NPN Do Transistor da Tevê SE Aplicações Do Amplificador | TOSHIBA |
| 1202 | 2SC3138 | Tipo difundido triplo do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta tensão do switching | TOSHIBA |
| 1203 | 2SC3147 | NPN EPITAXIAL (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA DO VHF) | TOSHIBA |
| 1204 | 2SC3148 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E ALTA TENSÃO, APLICAÇÕES DO SWITCHING, APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 1205 | 2SC3180 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1206 | 2SC3180 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1207 | 2SC3180 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1208 | 2SC3181 | APLICAÇÃO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1209 | 2SC3182 | Aplicações Do Amplificador De Poder | TOSHIBA |
| 1210 | 2SC3225 | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DA MOVIMENTAÇÃO DO SOLENÓIDE DAS APLICAÇÕES DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 1211 | 2SC3233 | Tipo difundido triplo regulador do silicone NPN do transistor de switching e aplicações de alta velocidade do conversor das aplicações DC-DC do switching da alta tensão | TOSHIBA |
| 1212 | 2SC3257 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1213 | 2SC3257 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1214 | 2SC3257 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1215 | 2SC3258 | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
| 1216 | 2SC3265 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder da freqüência baixa | TOSHIBA |
| 1217 | 2SC3266 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1218 | 2SC3267 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1219 | 2SC3268 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1220 | 2SC3269 | Silicon NPN transistor para aplicações em flash strobo e aplicações de amplificador de potência de média | TOSHIBA |
| 1221 | 2SC3279 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 1222 | 2SC3295 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audio que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 1223 | 2SC3298 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1224 | 2SC3298 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1225 | 2SC3298 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1226 | 2SC3298B | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1227 | 2SC3298B | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1228 | 2SC3298B | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1229 | 2SC3299 | PROCESSO DO SILICONE NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1230 | 2SC3299 | PROCESSO DO SILICONE NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1231 | 2SC3299 | PROCESSO DO SILICONE NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1232 | 2SC3302 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF-UHF | TOSHIBA |
| 1233 | 2SC3303 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações atuais elevadas do conversor das aplicações DC-DC do switching | TOSHIBA |
| 1234 | 2SC3306 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DE NPN (REGULADOR DE SWITCHING E ALTA TENSÃO QUE COMUTAM A APLICAÇÃO DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC) | TOSHIBA |
| 1235 | 2SC3307 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE E DE ALTA TENSÃO DO SWITCHING. APLICAÇÕES DO REGULADOR DE SWITCHING. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 1236 | 2SC3309 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1237 | 2SC3309 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1238 | 2SC3309 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1239 | 2SC3310 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1240 | 2SC3310 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1241 | 2SC3310 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1242 | 2SC3324 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do ruído da freqüência audio | TOSHIBA |
| 1243 | 2SC3325 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 1244 | 2SC3326 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo do PCT) para aplicações muting e comutando | TOSHIBA |
| 1245 | 2SC3327 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR PARA APLICAÇÕES MUTING E COMUTANDO | TOSHIBA |
| 1246 | 2SC3328 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1247 | 2SC3329 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo do PCT) para aplicações baixas do amplificador audio do ruído e recomendado para os primeiros estágios dos amplificadores principais de MC | TOSHIBA |
| 1248 | 2SC3333 | Tipo difundido triplo do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações de alta tensão da saída do chroma da tevê da cor das aplicações do switching | TOSHIBA |
| 1249 | 2SC3334 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO SWITCHING E DA SAÍDA DO CHROMA DA TEVÊ DA COR | TOSHIBA |
| 1250 | 2SC3345 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1251 | 2SC3345 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1252 | 2SC3345 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 1253 | 2SC3346 | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN/Aplicações Altamente Atuais Do Switching | TOSHIBA |
| 1254 | 2SC3376 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E APLICAÇÕES DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 1255 | 2SC3381 | TIPO EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR AUDIO DO RUÍDO RECOMENDADAS PARA O CIRCUITO ATUAL DO ESPELHO DE CASCODE/ DO PRIMEIRO ESTÁGIO DE AMPLIFICADORES PRE/ PRINCIPAIS) | TOSHIBA |
| 1256 | 2SC3405 | Tipo difundido triplo regulador do silicone NPN do transistor de switching e aplicações de alta velocidade do conversor das aplicações DC-DC do switching da alta tensão | TOSHIBA |
| 1257 | 2SC3419 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1258 | 2SC3420 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES FLASH DE STROBO | TOSHIBA |
| 1259 | 2SC3421 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 1260 | 2SC3422 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT SWITCHING BAIXO DA VELOCIDADE DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 1261 | 2SC3423 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 1262 | 2SC3425 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT REGULADOR DE SWITCHING E APLICAÇÕES DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO, APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC | TOSHIBA |
| 1263 | 2SC3426 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DE NPN (REGULADOR DE SWITCHING E ALTA TENSÃO QUE COMUTAM APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC) | TOSHIBA |
| 1264 | 2SC3429 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1265 | 2SC3437 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) computador ultra de alta velocidade do PCT das aplicações do switching, aplicações contrárias | TOSHIBA |
| 1266 | 2SC3474 | Tipo Epitaxial Aplicações Do Silicone NPN Do Transistor Da Movimentação Do Solenóide Das Aplicações Do Switching | TOSHIBA |
| 1267 | 2SC3474 | Tipo Epitaxial Aplicações Do Silicone NPN Do Transistor Da Movimentação Do Solenóide Das Aplicações Do Switching | TOSHIBA |
| 1268 | 2SC3497 | 6A; 30W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1269 | 2SC3515 | Tipo difundido triplo do silicone NPN do transistor (processo) exposição do PCT de plasma de alta tensão das aplicações do controle, aplicações do controle de brilho do tubo de raio de cátodo das aplicações do excitador do tub | TOSHIBA |
| 1270 | 2SC3547 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (COLETOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO OSCILADOR APPLICATIONS)(COMMON DO TUNER/ DA TEVÊ) | TOSHIBA |
| 1271 | 2SC3547A | Tipo planar epitaxial tuner do silicone NPN do transistor da tevê, aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do oscilador (coletor comum) | TOSHIBA |
| 1272 | 2SC3547B | Tipo planar epitaxial tuner do silicone NPN do transistor da tevê, aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do oscilador (coletor comum) | TOSHIBA |
| 1273 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (CEO): 800V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1274 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1275 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1276 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1277 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (CEO): 450V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1278 | 2SC3605 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1279 | 2SC3606 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1280 | 2SC3607 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 1281 | 2SC3613 | TIPO EPITAXIAL ESTÁGIO VIDEO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DA MOVIMENTAÇÃO EM APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO SWITCHING DA EXPOSIÇÃO DE ALTA RESOLUÇÃO | TOSHIBA |
| 1282 | 2SC3619 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO SWITCHING E DO AMPLIFICADOR, EXCITADOR HORIZONTAL DA TEVÊ DA COR E APLICAÇÕES DA SAÍDA DO CHROMA DA TEVÊ DA COR | TOSHIBA |
| 1283 | 2SC3620 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT TEVÊ DA COR HORIZONTAL E APLICAÇÕES DA SAÍDA DO CHROMA DA TEVÊ DA COR | TOSHIBA |
| 1284 | 2SC3621 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) TEVÊ VERT DO PCT DA COR. APLICAÇÕES SADIAS Da SAÍDA Da SAÍDA Da DEFLEXÃO E Da CLASSE B Da Tevê Da COR | TOSHIBA |
| 1285 | 2SC3625 | 8A; 40W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 1286 | 2SC3657 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E APLICAÇÕES DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 1287 | 2SC3665 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER E DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DA MOVIMENTAÇÃO | TOSHIBA |
| 1288 | 2SC3666 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 1289 | 2SC3668 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1290 | 2SC3668 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1291 | 2SC3669 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 1292 | 2SC3670 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES FLASH DE STOROBO | TOSHIBA |
| 1293 | 2SC3671 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES DO FLASH DO ESTROBOSCÓPIO | TOSHIBA |
| 1294 | 2SC3672 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO PCT DO CONTROLE, EXPOSIÇÃO DE PLASMA, APLICAÇÕES DO EXCITADOR DO TUBO DE NIXIE, APLICAÇÕES DO CONTROLE DE BRILHO DO TUBO DE RAIO DE CÁ | TOSHIBA |
| 1295 | 2SC3673 | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DA MOVIMENTAÇÃO DO SOLENÓIDE DAS APLICAÇÕES DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 1296 | 2SC3709 | TIPO EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING) | TOSHIBA |
| 1297 | 2SC3709 | TIPO EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING) | TOSHIBA |
| 1298 | 2SC3709A | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. | TOSHIBA |
| 1299 | 2SC3710 | TIPO EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING) | TOSHIBA |
| 1300 | 2SC3710A | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. | TOSHIBA |
| | | |
