| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 7101 | TC51440ZL-80 | 1.048.576 x 4 BIT DYNAMIC RAM | TOSHIBA |
| 7102 | TC514410AJ-60 | 60 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7103 | TC514410AP-10 | 100 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7104 | TC514410AP-60 | 60 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7105 | TC514410AP-70 | 70 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7106 | TC514410AP-80 | 80 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7107 | TC514410ASJ-10 | 100 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7108 | TC514410ASJ-60 | 60 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7109 | TC514410ASJ-70 | 70 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7110 | TC514410ASJ-80 | 80 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7111 | TC514410AZ-10 | 100 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7112 | TC514410AZ-60 | 60 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7113 | TC514410AZ-70 | 70 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7114 | TC514410AZ-80 | 80 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7115 | TC514410J-10 | 100 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7116 | TC514410J-80 | 80 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7117 | TC514410Z-10 | 100 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7118 | TC514410Z-80 | 80 ns, RAM dinâmica de geração de 4 bits | TOSHIBA |
| 7119 | TC51832 | Palavra CMOS/32768 da porta de silicone x RAM de estática pseudo do CMOS de 8 bocados | TOSHIBA |
| 7120 | TC51832F-10 | 100ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7121 | TC51832F-12 | 120ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7122 | TC51832F-85 | 85ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7123 | TC51832FL-10 | 100ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7124 | TC51832FL-12 | 120ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7125 | TC51832FL-85 | 85ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7126 | TC51832P-10 | 100ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7127 | TC51832P-12 | 120ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7128 | TC51832P-85 | 85ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7129 | TC51832PL-10 | 100ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7130 | TC51832PL-12 | 120ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7131 | TC51832PL-85 | 85ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7132 | TC51832SP-10 | 100ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7133 | TC51832SP-12 | 120ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7134 | TC51832SP-85 | 85ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7135 | TC51832SPL-10 | 100ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7136 | TC51832SPL-12 | 120ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7137 | TC51832SPL-85 | 85ns; V (in / out / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50 mA; 32,768 palavra x 8 bits CMOS RAM pseudo estática | TOSHIBA |
| 7138 | TC51WHM516AXBN | SRAM - SRAM Pseudo | TOSHIBA |
| 7139 | TC51WHM516AXBN65 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7140 | TC51WHM516AXBN70 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7141 | TC51WHM516AXGN65 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7142 | TC51WHM516AXGN70 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7143 | TC51WHM616AXBN | SRAM - SRAM Pseudo | TOSHIBA |
| 7144 | TC51WHM616AXBN65 | 4.194.304-4,194,304-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7145 | TC51WHM616AXBN70 | 4.194.304-4,194,304-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7146 | TC51WKM516AXBN | SRAM - SRAM Pseudo | TOSHIBA |
| 7147 | TC51WKM516AXBN75 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7148 | TC51WKM516AXGN65 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7149 | TC51WKM516AXGN70 | 2.097.152-2,097,152-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7150 | TC51WKM616AXBN | SRAM - SRAM Pseudo | TOSHIBA |
| 7151 | TC51WKM616AXBN75 | 4.194.304-4,194,304-WORD PELA RAM DE ESTÁTICA PSEUDO DE 16-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 7152 | TC528128BJ-10 | 100ns; V (cc): -1 a + 7V; V (in / out); -1,0 A + 7.0V; 1W; 50 mA; Silicon CMOS estragado 131.072 palavras x 8 bits de múltiplas DRAMA | TOSHIBA |
| 7153 | TC528128BJ-80 | 80ns; V (cc): -1 a + 7V; V (in / out); -1,0 A + 7.0V; 1W; 50 mA; Silicon CMOS estragado 131.072 palavras x 8 bits de múltiplas DRAMA | TOSHIBA |
| 7154 | TC528128BZ-10 | 100ns; V (cc): -1 a + 7V; V (in / out); -1,0 A + 7.0V; 1W; 50 mA; Silicon CMOS estragado 131.072 palavras x 8 bits de múltiplas DRAMA | TOSHIBA |
| 7155 | TC528128BZ-80 | 80ns; V (cc): -1 a + 7V; V (in / out); -1,0 A + 7.0V; 1W; 50 mA; Silicon CMOS estragado 131.072 palavras x 8 bits de múltiplas DRAMA | TOSHIBA |
| 7156 | TC528267 | 262144 palavras x DRAM de Multiport de 8 bocados | TOSHIBA |
| 7157 | TC531001CF | 150ns; V (dd): -0,5 a + 7V; 1M bit (128K palavra x 8 Bit) MASK ROM CMOS | TOSHIBA |
| 7158 | TC531001CP | 120ns; V (dd): -0,5 a + 7V; 1M bit (128K palavra x 8 Bit) MASK ROM CMOS | TOSHIBA |
| 7159 | TC531024F-12 | 120ns; 5V; 1M bit (65.536 palavras x 16bit) MASK ROM CMOS | TOSHIBA |
| 7160 | TC531024F-15 | 150ns; 5V; 1M bit (65.536 palavras x 16bit) MASK ROM CMOS | TOSHIBA |
| 7161 | TC531024P-12 | 120ns; 5V; 1M bit (65.536 palavras x 16bit) MASK ROM CMOS | TOSHIBA |
| 7162 | TC531024P-15 | 150ns; 5V; 1M bit (65.536 palavras x 16bit) MASK ROM CMOS | TOSHIBA |
| 7163 | TC54256AF | 32768 palavra x 8-bit CMOC um tempo programável memória apenas para leitura, 200ns | TOSHIBA |
| 7164 | TC54256AP | 32768 palavra x 8-bit CMOC um tempo programável memória apenas para leitura, 200ns | TOSHIBA |
| 7165 | TC54H1024F-10 | 100 ns; V (cc): -0,6 a + 7V; 1.5W; 65.536 palavra x 16 bit programável uma vez memória só de leitura | TOSHIBA |
| 7166 | TC54H1024F-85 | 85 ns; V (cc): -0,6 a + 7V; 1.5W; 65.536 palavra x 16 bit programável uma vez memória só de leitura | TOSHIBA |
| 7167 | TC54H1024P-10 | 100 ns; V (cc): -0,6 a + 7V; 1.5W; 65.536 palavra x 16 bit programável uma vez memória só de leitura | TOSHIBA |
| 7168 | TC54H1024P-85 | 85 ns; V (cc): -0,6 a + 7V; 1.5W; 65.536 palavra x 16 bit programável uma vez memória só de leitura | TOSHIBA |
| 7169 | TC5504A | 4096 palavra x 1 RAM da estática do CMOS do bocado | TOSHIBA |
| 7170 | TC551001 | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7171 | TC551001 | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7172 | TC551001 | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7173 | TC551001 | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7174 | TC551001 | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7175 | TC551001 | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7176 | TC551001BFL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7177 | TC551001BFL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7178 | TC551001BFL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7179 | TC551001BFL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7180 | TC551001BFTL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7181 | TC551001BFTL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7182 | TC551001BFTL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7183 | TC551001BFTL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7184 | TC551001BPL | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7185 | TC551001BPL | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7186 | TC551001BPL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7187 | TC551001BPL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7188 | TC551001BPL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7189 | TC551001BPL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7190 | TC551001BTRL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7191 | TC551001BTRL-70L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7192 | TC551001BTRL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7193 | TC551001BTRL-85L | PORTA de SILICONE CMOS 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7194 | TC551001CF-55 | TC551001CP55 | TOSHIBA |
| 7195 | TC551001CF-55 | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7196 | TC551001CF-55 | TC551001CP55 | TOSHIBA |
| 7197 | TC551001CF-55 | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7198 | TC551001CF-55L | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
| 7199 | TC551001CF-55L | TC551001CP55 | TOSHIBA |
| 7200 | TC551001CF-55L | 131.072 WORD x RAM da ESTÁTICA de 8 BOCADOS | TOSHIBA |
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