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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
11N5829Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V.USHA India LTD
21N5830Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V.USHA India LTD
31N5831Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V.USHA India LTD
41N5832Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V.USHA India LTD
51N5833Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V.USHA India LTD
61N5834Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V.USHA India LTD
72N3055Alta potência NPN transistor. Comutação de propósito geral e aplicação amplificador. VCEO = 60VDC, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100VCC, o VEB = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W.USHA India LTD
82N3055HNPN transistor de potência de silício. 15Amp, 100V, 115Watt. Estes dispositivos são projetados para aplicações gerais de comutação efeito e amplificadores.USHA India LTD
92N3773Alta potência NPN transistor. Áudio de potência alta e aplicações lineares. VCEO = 140Vdc, Vcer = 150Vdc, Vcb = 160Vdc, o VEB = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150W.USHA India LTD
102N3773ARNPN transistor de potência de silício. 16Amp, 140V, 150Watt. O áudio de alta potência, posicionadores de cabeça de disco e outras aplicações lineares. Circuitos de comutação de potência, tais como relé ou motoristas de solenóidUSHA India LTD
112N3903Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
122N3904Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
132N3905Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW.USHA India LTD
142N3906Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW.USHA India LTD
152N4123Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 30V = VCEO. Tensão colector-base: 40V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
162N4124Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 25V = VCEO. Tensão colector-base: 30V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
172N4125Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -30V. Tensão colector-base: VCBO = -30V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
182N4126Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -25V. Tensão colector-base: VCBO = -25V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
192N4400Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
202N4401Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
212N4402Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
222N4403Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
232N5086Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW.USHA India LTD
242N5087Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW.USHA India LTD
252N5088Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 30V = VCEO. Tensão colector-base: 35V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD



262N5089Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 25V = VCEO. Tensão colector-base: 30V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
272N5210Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
282N5294Silicon plástico potência NPN transistor. Comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcer = 75Vdc, Vcbo = 80Vdc, o VEB = 7Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W.USHA India LTD
292N5296Silicon plástico potência NPN transistor. Comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 40VDC, Vcer = 50Vcc, Vcbo = 60VDC, o VEB = 5Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W.USHA India LTD
302N5400Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -120V. Tensão colector-base: VCBO = -130V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
312N5401Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -150V. Tensão colector-base: VCBO = -160V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
322N5550Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 140V = VCEO. Tensão colector-base: 160V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
332N5551Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 160V = VCEO. Tensão colector-base: 180V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
342N6107PNP transistor de potência plástico de silicone. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcb = 80Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W.USHA India LTD
352N6292Silicon plástico potência NPN transistor. Comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcb = 80Vdc, o VEB = 5Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
362N6428Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
372N6428ATransistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
382N6515Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 250V = VCEO. Tensão colector-base: 250V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
392N6516Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 250V = VCEO. Tensão colector-base: 250V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
402N6517Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 350V = VCEO. Tensão colector-base: 350V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
412N6518Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -250V. Tensão colector-base: VCBO = -250V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W.USHA India LTD
422N6519Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -300V. Tensão colector-base: VCBO = -300V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W.USHA India LTD
432N6520Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -350V. Tensão colector-base: VCBO = -350V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W.USHA India LTD
442SA1015Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão emissor-base dissipação Vebo = -5V.Collector: Pc (max) = 400mW.USHA India LTD
452SA1625Comutadores de alta tensão. Tensão colector-base: VCBO = -400V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -400V. Tensão emissor-base Vebo = 7V. Dissipação Collector: Pc (max) = o.75W.USHA India LTD
462SA539Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: VCBO = -60V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -45V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 400mW.USHA India LTD
472SA542Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: VCBO = -30V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -25V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 250mW.USHA India LTD
482SA642AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXAUSHA India LTD
492SA642AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXAUSHA India LTD
502SA643AMPLIFICADOR de PODER da FREQÜÊNCIA BAIXA Dos TransistorUSHA India LTD

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