Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1 | 1N5829 | Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V. | USHA India LTD |
2 | 1N5830 | Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V. | USHA India LTD |
3 | 1N5831 | Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V. | USHA India LTD |
4 | 1N5832 | Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V. | USHA India LTD |
5 | 1N5833 | Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V. | USHA India LTD |
6 | 1N5834 | Alternadas schottky diodos retificadores de potência. Ideal para uso como retificadores em baixa tensão. Inversores de alta freqüência. Diodos de roda livre e diodos de proteção de polaridade. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V. | USHA India LTD |
7 | 2N3055 | Alta potência NPN transistor. Comutação de propósito geral e aplicação amplificador. VCEO = 60VDC, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100VCC, o VEB = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
8 | 2N3055H | NPN transistor de potência de silício. 15Amp, 100V, 115Watt. Estes dispositivos são projetados para aplicações gerais de comutação efeito e amplificadores. | USHA India LTD |
9 | 2N3773 | Alta potência NPN transistor. Áudio de potência alta e aplicações lineares. VCEO = 140Vdc, Vcer = 150Vdc, Vcb = 160Vdc, o VEB = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150W. | USHA India LTD |
10 | 2N3773AR | NPN transistor de potência de silício. 16Amp, 140V, 150Watt. O áudio de alta potência, posicionadores de cabeça de disco e outras aplicações lineares. Circuitos de comutação de potência, tais como relé ou motoristas de solenóid | USHA India LTD |
11 | 2N3903 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
12 | 2N3904 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
13 | 2N3905 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
14 | 2N3906 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
15 | 2N4123 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 30V = VCEO. Tensão colector-base: 40V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
16 | 2N4124 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 25V = VCEO. Tensão colector-base: 30V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
17 | 2N4125 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -30V. Tensão colector-base: VCBO = -30V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
18 | 2N4126 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -25V. Tensão colector-base: VCBO = -25V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
19 | 2N4400 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
20 | 2N4401 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 40V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
21 | 2N4402 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
22 | 2N4403 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: VCEO = -40V. Tensão colector-base: Vcbo = -40V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
23 | 2N5086 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
24 | 2N5087 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
25 | 2N5088 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 30V = VCEO. Tensão colector-base: 35V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
26 | 2N5089 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 25V = VCEO. Tensão colector-base: 30V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
27 | 2N5210 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
28 | 2N5294 | Silicon plástico potência NPN transistor. Comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcer = 75Vdc, Vcbo = 80Vdc, o VEB = 7Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
29 | 2N5296 | Silicon plástico potência NPN transistor. Comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 40VDC, Vcer = 50Vcc, Vcbo = 60VDC, o VEB = 5Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
30 | 2N5400 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -120V. Tensão colector-base: VCBO = -130V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
31 | 2N5401 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -150V. Tensão colector-base: VCBO = -160V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
32 | 2N5550 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 140V = VCEO. Tensão colector-base: 160V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
33 | 2N5551 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 160V = VCEO. Tensão colector-base: 180V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
34 | 2N6107 | PNP transistor de potência plástico de silicone. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcb = 80Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
35 | 2N6292 | Silicon plástico potência NPN transistor. Comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 70Vdc, Vcb = 80Vdc, o VEB = 5Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
36 | 2N6428 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
37 | 2N6428A | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
38 | 2N6515 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 250V = VCEO. Tensão colector-base: 250V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
39 | 2N6516 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 250V = VCEO. Tensão colector-base: 250V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
40 | 2N6517 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 350V = VCEO. Tensão colector-base: 350V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
41 | 2N6518 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -250V. Tensão colector-base: VCBO = -250V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
42 | 2N6519 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -300V. Tensão colector-base: VCBO = -300V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
43 | 2N6520 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -350V. Tensão colector-base: VCBO = -350V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
44 | 2SA1015 | Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão emissor-base dissipação Vebo = -5V.Collector: Pc (max) = 400mW. | USHA India LTD |
45 | 2SA1625 | Comutadores de alta tensão. Tensão colector-base: VCBO = -400V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -400V. Tensão emissor-base Vebo = 7V. Dissipação Collector: Pc (max) = o.75W. | USHA India LTD |
46 | 2SA539 | Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: VCBO = -60V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -45V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 400mW. | USHA India LTD |
47 | 2SA542 | Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: VCBO = -30V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -25V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 250mW. | USHA India LTD |
48 | 2SA642 | AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA | USHA India LTD |
49 | 2SA642 | AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA | USHA India LTD |
50 | 2SA643 | AMPLIFICADOR de PODER da FREQÜÊNCIA BAIXA Dos Transistor | USHA India LTD |
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