|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 8859 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
39015962L9960703QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39025962L9960703QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39035962L9960703TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39045962L9960703TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39055962L9960703TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39065962L9960703TXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39075962L9960703TXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39085962L9960703TXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39095962L9960704QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39105962L9960704QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39115962L9960704QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39125962L9960704QXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39135962L9960704QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39145962L9960704QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39155962L9960704TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39165962L9960704TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39175962L9960704TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39185962L9960704TXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39195962L9960704TXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39205962L9960704TXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39215962P0053601QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39225962P0053601QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39235962P0053601QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39245962P0053601QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39255962P0053601QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39265962P0053601QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39275962P0053601TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39285962P0053601TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39295962P0053601TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39305962P0053601TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39315962P0053601TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39325962P0053601TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39335962P0053602QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39345962P0053602QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39355962P0053602QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39365962P0053602QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39375962P0053602QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39385962P0053602QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39395962P0053602TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39405962P0053602TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39415962P0053602TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39425962P0053602TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39435962P0053602TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39445962P0053602TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39455962P0053603QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39465962P0053603QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39475962P0053603QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39485962P0053603QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39495962P0053603QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39505962P0053603QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39515962P0053603TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39525962P0053603TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39535962P0053603TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39545962P0053603TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39555962P0053603TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39565962P0053603TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology



39575962P0053604QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39585962P0053604QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39595962P0053604QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39605962P0053604QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39615962P0053604QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39625962P0053604QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39635962P0053604TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39645962P0053604TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39655962P0053604TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39665962P0053604TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39675962P0053604TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39685962P0053604TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39695962P0151101QXC512K32 16Megabit SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. Ведущий отделка золотом. Класс QML В. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39705962P0151101TXC512K32 16Megabit SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. Ведущий отделка золотом. Класс QML Т. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39715962P0153201QYA1024K8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39725962P0153201QYC1024K8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39735962P0153201QYX1024K8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39745962P0153201TYA1024K8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39755962P0153201TYC1024K8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39765962P0153201TYX1024K8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39775962P0153301QXC512K32 16Megabit SRAM MCM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39785962P0153301TXC512K32 16Megabit SRAM MCM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39795962P9960601QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Миля темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39805962P9960601QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Миля темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39815962P9960601QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Миля темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39825962P9960601TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39835962P9960601TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39845962P9960601TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39855962P9960602QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (Aeroflex Circuit Technology
39865962P9960602QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39875962P9960602QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39885962P9960602TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (Aeroflex Circuit Technology
39895962P9960602TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39905962P9960602TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий вариант отделки factoty. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
39915962P9960701QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39925962P9960701QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39935962P9960701QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39945962P9960701QXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39955962P9960701QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39965962P9960701QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39975962P9960701TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39985962P9960701TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
39995962P9960701TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
40005962P9960701TXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/aeroflexcircuittechnology/1/