Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
401 | 1N5233B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
402 | 1N5233B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 6В | Comchip Technology |
403 | 1N5234B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
404 | 1N5234B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 6.2V | Comchip Technology |
405 | 1N5235B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
406 | 1N5235B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 6,8 В | Comchip Technology |
407 | 1N5236B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
408 | 1N5236B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 7,5 В | Comchip Technology |
409 | 1N5237B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
410 | 1N5237B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 8.2V | Comchip Technology |
411 | 1N5238B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
412 | 1N5238B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 8.7V | Comchip Technology |
413 | 1N5239B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
414 | 1N5239B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 9.1V | Comchip Technology |
415 | 1N5240B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
416 | 1N5240B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 10В | Comchip Technology |
417 | 1N5241B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
418 | 1N5241B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 11V | Comchip Technology |
419 | 1N5242B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
420 | 1N5242B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 12 | Comchip Technology |
421 | 1N5243B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
422 | 1N5243B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 13V | Comchip Technology |
423 | 1N5244B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
424 | 1N5244B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 14V | Comchip Technology |
425 | 1N5245B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
426 | 1N5245B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 15В | Comchip Technology |
427 | 1N5246B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
428 | 1N5246B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 16V | Comchip Technology |
429 | 1N5247B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
430 | 1N5247B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 17В | Comchip Technology |
431 | 1N5248B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
432 | 1N5248B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 18В | Comchip Technology |
433 | 1N5249B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
434 | 1N5249B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 19V | Comchip Technology |
435 | 1N5250B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
436 | 1N5250B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 20В | Comchip Technology |
437 | 1N5251B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
438 | 1N5251B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 22В | Comchip Technology |
439 | 1N5252B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
440 | 1N5252B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 24 | Comchip Technology |
441 | 1N5253B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
442 | 1N5253B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 25В | Comchip Technology |
443 | 1N5254B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
444 | 1N5254B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 27В | Comchip Technology |
445 | 1N5255B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
446 | 1N5255B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 28В | Comchip Technology |
447 | 1N5256B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
448 | 1N5256B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 30В | Comchip Technology |
449 | 1N5257B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
450 | 1N5257B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 33В | Comchip Technology |
451 | 1N5258B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
452 | 1N5258B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 36В | Comchip Technology |
453 | 1N5259B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
454 | 1N5259B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 39V | Comchip Technology |
455 | 1N5260B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
456 | 1N5260B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 43V | Comchip Technology |
457 | 1N5261B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
458 | 1N5261B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 47V | Comchip Technology |
459 | 1N5262B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
460 | 1N5262B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 51V | Comchip Technology |
461 | 1N5263B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
462 | 1N5263B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 56V | Comchip Technology |
463 | 1N5264B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
464 | 1N5264B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 60В | Comchip Technology |
465 | 1N5265B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
466 | 1N5265B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 62V | Comchip Technology |
467 | 1N5266B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
468 | 1N5266B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 68V | Comchip Technology |
469 | 1N5267B | Эпитаксиальное Zener diode 500mw | Comchip Technology |
470 | 1N5267B-G | Стабилитроны, P D = 0.5Watts, V Z = 75В | Comchip Technology |
471 | 1N5400 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
472 | 1N5400-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 50В, V R = 50 В, I O = 3А | Comchip Technology |
473 | 1N5401 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
474 | 1N5401-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 100V, V R = 100V, я O = 3А | Comchip Technology |
475 | 1N5402 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
476 | 1N5402-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 200В, V R = 200В, I O = 3А | Comchip Technology |
477 | 1N5404 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
478 | 1N5404-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 400, V R = 400, я O = 3А | Comchip Technology |
479 | 1N5406 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
480 | 1N5406-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 600, V R = 600, я O = 3А | Comchip Technology |
481 | 1N5407 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
482 | 1N5407-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 800V, V R = 800V, я O = 3А | Comchip Technology |
483 | 1N5408 | выпрямитель тока 3.0A | Comchip Technology |
484 | 1N5408-G | Общего назначения Выпрямитель, V RRM = 1000, V R = 1000, я O = 3А | Comchip Technology |
485 | 1N5817 | Выпрямитель тока Барьера Schottky, Переднее
Течение 3.0A, Обратное Напряжение тока 50V | Comchip Technology |
486 | 1N5817-G | Выпрямители с барьером Шотки диоды, V RRM = 20В, V R = 20В, I O = 1A | Comchip Technology |
487 | 1N5818 | Выпрямитель тока Барьера Schottky, Переднее
Течение 3.0A, Обратное Напряжение тока 50V | Comchip Technology |
488 | 1N5818-G | Выпрямители с барьером Шотки диоды, V RRM = 30В, V R = 30В, I O = 1A | Comchip Technology |
489 | 1N5819 | Выпрямитель тока Барьера Schottky, Переднее
Течение 3.0A, Обратное Напряжение тока 50V | Comchip Technology |
490 | 1N5819-G | Выпрямители с барьером Шотки диоды, V RRM = 40В, V R = 40В, I O = 1A | Comchip Technology |
491 | 1N5820-G | Выпрямители с барьером Шотки диоды, V RRM = 20В, V R = 20В, I O = 3А | Comchip Technology |
492 | 1N5821-G | Выпрямители с барьером Шотки диоды, V RRM = 30В, V R = 30В, I O = 3А | Comchip Technology |
493 | 1N5822-G | Выпрямители с барьером Шотки диоды, V RRM = 40В, V R = 40В, I O = 3А | Comchip Technology |
494 | 1SS400-G | Импульсные диоды, V RRM = 90V, V R = 90V, P D = 150 мВт, я F = 100 мА | Comchip Technology |
495 | 2N3906-G | Общего назначения Транзистор, V СВО = -40V, V CEO = -40V, V EBO = -5, я C = -0.2A | Comchip Technology |
496 | 2N7002 | N-канальный транзистор. Слив-источниковедение напряжение 60 В. | Comchip Technology |
497 | 2N7002-G | MOSFET, V DS = 60В, I D = 0.25A, P D = 350 мВт | Comchip Technology |
498 | 2N7002-HF | Безгалогеновые MOSFET, V DS = 60В, I D = 0.25A, P D = 350 мВт | Comchip Technology |
499 | 2N7002K-HF | Безгалогеновые MOSFET, V DS = 60В, I D = 0.115A, P D = 225 МВт | Comchip Technology |
500 | 2SC5658-HF | Безгалогеновые транзистор, V СВО = 60В, V CEO = 50В, V EBO = 7В, я C = 150 мА | Comchip Technology |
| | | |