| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1851 | CSD1133B | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1852 | CSD1133C | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1853 | CSD1133D | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1854 | CSD1134 | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1855 | CSD1134B | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1856 | CSD1134C | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1857 | CSD1134D | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1858 | CSD1306 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1859 | CSD1306 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1860 | CSD1306D | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1861 | CSD1306D | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1862 | CSD1306E | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1863 | CSD1306E | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1864 | CSD1306F | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1865 | CSD1306F | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 1866 | CSD1426F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 1867 | CSD1426F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 1868 | CSD1489 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | Continental Device India Limited |
| 1869 | CSD1489 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | Continental Device India Limited |
| 1870 | CSD1489B | 0.750W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 16V VCEO, 2.000A Ic, 100 - 500 HFE | Continental Device India Limited |
| 1871 | CSD1506 | 10.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56 - 390 HFE. Дополнительные CSB1065 | Continental Device India Limited |
| 1872 | CSD1506N | 10.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56 - 120 HFE. Дополнительные CSB1065N | Continental Device India Limited |
| 1873 | CSD1506P | 10.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 82 - 180 HFE. Дополнительные CSB1065P | Continental Device India Limited |
| 1874 | CSD1506Q | 10.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 120 - 270 HFE. Дополнительные CSB1065Q | Continental Device India Limited |
| 1875 | CSD1506R | 10.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 180 - 390 HFE. Дополнительные CSB1065R | Continental Device India Limited |
| 1876 | CSD1616 | 0.750W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135 - 600 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1877 | CSD1616G | 0.750W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 1.000A Ic, 200 - 400 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1878 | CSD1616L | 0.750W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 1.000A Ic, 300 - 600 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1879 | CSD1616Y | 0.750W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135 - 270 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1880 | CSD1638 | 1.200W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 100V VCEO, 2.000A Ic, 1000 - 10000 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1881 | CSD1833 | 2.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 7.000A Ic, 60 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1882 | CSD2470 | 0.400W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 10В VCEO, 5.000A Ic, 270 - 820 HFE | Continental Device India Limited |
| 1883 | CSD288 | 25.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 55V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 240 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1884 | CSD313 | 30.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1885 | CSD313C | 30.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 80 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1886 | CSD313D | 30.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1887 | CSD313E | 30.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1888 | CSD313F | 30.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1889 | CSD362 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20 - 140 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1890 | CSD362N | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20 - 50 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1891 | CSD362O | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 5.000A Ic, 70 - 140 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1892 | CSD362R | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 5.000A Ic, 40 - 80 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1893 | CSD363 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 6.000A Ic, 40 - 240 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1894 | CSD363O | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 6.000A Ic, 70 - 140 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1895 | CSD363R | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 6.000A Ic, 40 - 80 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1896 | CSD363Y | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 6.000A Ic, 120 - 240 HFE. | Continental Device India Limited |
| 1897 | CSD401 | 25.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40 - 400 HFE. Дополнительные CSB546 | Continental Device India Limited |
| 1898 | CSD401G | 25.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 2.000A Ic, 200 - 400 HFE. Дополнительные CSB546G | Continental Device India Limited |
| 1899 | CSD401O | 25.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 2.000A Ic, 70 - 140 HFE. Дополнительные CSB546O | Continental Device India Limited |
| 1900 | CSD401R | 25.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40 - 80 HFE. Дополнительные CSB546R | Continental Device India Limited |
| | | |
