|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



2N5400 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства Fairchild SemiconductorДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначения скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Fairchild Semiconductor
pdf
313 kb
Информация для частей производства Boca Semiconductor CorporationКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА PNP УСИЛИТЕЛЯ

Другие с той же файл данные:
2N5401,
скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Boca Semiconductor Corporation
pdf
148 kb
Информация для частей производства ON SemiconductorКремний Transistor(PNP Усилителя) скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
ON Semiconductor
pdf
182 kb
Информация для частей производства Korea Electronics (KEC)Высоковольтный Транзистор скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Korea Electronics (KEC)
pdf
71 kb
Информация для частей производства Central SemiconductorОсвинцованное Малое General purpose Транзистора Сигнала скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Central Semiconductor
pdf
85 kb
Информация для частей производства SemtechТранзистор Expitaxial кремния PNP плоскостной для применений усилителя общееа назначение высоковольтных

Другие с той же файл данные:
HN5401, HN5400,
скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Semtech
pdf
127 kb
Информация для частей производства Micro ElectronicsТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ

Другие с той же файл данные:
2N5551, 2N5550,
скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Micro Electronics
pdf
171 kb
Информация для частей производства Samsung ElectronicТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Samsung Electronic
pdf
38 kb
Информация для частей производства Continental Device India Limited0.500W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 0.600A Ic, 40 - HFE скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Continental Device India Limited
pdf
82 kb
Информация для частей производства Honey TechnologyПрименения Переключения Эпитаксиальных Плоскостных Транзисторов Кремния PNP Высок-V настоящее время скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
Honey Technology
pdf
129 kb
Информация для частей производства USHA India LTDТранзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = -120V. Напряжения коллектор-база: VCBO = -130V. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (м скачать 2N5400 лист данных ( datasheet ) от
USHA India LTD
pdf
50 kb
2N5398Посмотреть 2N5400 в наш каталог2N5400RA



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com